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涉嫌侵犯晶體管專利 意法半導(dǎo)體被判賠3250萬(wàn)美元

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-06 13:55 ? 次閱讀

美國(guó)西德克薩斯州法院陪審員12月5日公布的判決中稱,歐洲芯片制造企業(yè)st.半導(dǎo)體因侵犯一項(xiàng)晶體管技術(shù)專利,應(yīng)向普渡大學(xué)賠償3250萬(wàn)美元。

該陪審員同意了普度的意見(jiàn),即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管(mosfet)侵害了高電壓電源應(yīng)用(high power power application)使用的晶體管的專利。

意法半導(dǎo)體的一位發(fā)言人說(shuō)該公司將對(duì)判決提出上訴。普渡大學(xué)的律師Michael Shore表示,對(duì)意法半導(dǎo)體不利的證據(jù)是“壓倒性的”,到2026年為止,將需要支付1億美元以上的專利使用費(fèi)。

據(jù)悉,mosfet主要用于電子產(chǎn)品。在2021年,普渡起訴mosfet侵犯了太陽(yáng)能冷暖房系統(tǒng)、汽車充電站和其他可再生能源產(chǎn)品的兩項(xiàng)晶體管技術(shù)專利。

普渡大學(xué)的專利是一項(xiàng)用于高電壓電力應(yīng)用的半導(dǎo)體和mosfet技術(shù)創(chuàng)新,由普渡大學(xué)的前教授James Cooper和他的學(xué)生asmita saha申請(qǐng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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