面向高功率器件的超高導熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機械、熱學和電學性能，在電子和半導體領域有著廣泛的應用，可以支撐和固定半導體材料的基礎材料。其低介電常數(shù)、高機械強度和熱穩(wěn)定性能優(yōu)異，能夠提高器件的工作性能和可靠性。在半導體領域中，它被用于制造高端功率器件、射頻器件、微波器件等。

近期，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術分會“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超做了”面向高功率器件的超高導熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)“的主題報告，分享了高性能陶瓷基板的研究進展。

高性能陶瓷基板應用涉及LED封裝、激光器件（LD）散熱器、第三代電力電子設備等領域。當前高集成芯片卡脖子問題主要是熱管理，高性能陶瓷基板的研究方向涉及機械性能、導熱性能、電氣性能等，熱導率提升仍然是關注的焦點，熱導率提升導致抗彎強度大幅下降。

報告分享了制程優(yōu)化、力學性能勻化、AlN基板表面拓撲優(yōu)化改進、面向功率器件的超高韌性AlN基板的研究進展，面向功率器件的超高韌性AlN基板的最新進展，以及博睿DPC制程技術優(yōu)化。其中，對于制程優(yōu)化研究方面 研磨過程是導致基材的機械性能,無研磨工藝需要精確的尺寸控制,漿料配方、球磨工藝、鑄造工藝等，需要協(xié)同優(yōu)化。

報告指出，高性能AlN陶瓷襯底的國產化將有效推動中國功率半導體的發(fā)展；AlN襯底針對不同應用場景的定向開發(fā)促進了下游封裝技術的發(fā)展；將高性能AlN陶瓷基板與金屬化技術相結合，有助于開發(fā)高功率密度器件的封裝要求。

審核編輯：劉清