臺(tái)積電1.4nm制程工藝研發(fā)持續(xù)，預(yù)計(jì)2027-2028年量產(chǎn)

在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，臺(tái)積電公開了正在研發(fā)中的1.4nm制程工藝。盡管臺(tái)積電尚未透露該制程的量產(chǎn)時(shí)間及詳細(xì)參數(shù)，但有媒體推測(cè)，鑒于2nm于2025年量產(chǎn)，而N2P于2026年末起量產(chǎn)，那么1.4nm很可能于2027至2028年間投入生產(chǎn)。

此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來(lái)看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。不過，該公司依然致力于研究該方向，希望通過第二或第三代環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)提高性能、能效及功能性。

與日俱增的制程工藝同樣推動(dòng)了以下幾個(gè)方面：增加晶體管密集度、提升芯片性能、節(jié)約能量消耗。到目前為止，臺(tái)積電始終強(qiáng)調(diào)需進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化以最大化新節(jié)點(diǎn)如N2和A14的潛能，不過這無(wú)疑將給整個(gè)團(tuán)隊(duì)帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，早在2022年，臺(tái)積電便宣布將其3nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)轉(zhuǎn)作1.4nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)；與此同時(shí)，三星亦計(jì)劃采取類似行動(dòng)。