多片DDR菊花鏈拓?fù)溥B接時(shí)末端的電阻都是起什么作用的呢？

大家如果做過DDR的設(shè)計(jì)可能會(huì)發(fā)現(xiàn)在進(jìn)行多片DDR連線時(shí)，通常在信號(hào)的末端會(huì)放置很多的電阻(如下圖所示)，那么這些電阻都是起什么作用的呢？

通常在DDR末端的電阻是為了防止信號(hào)反射的，起阻抗匹配的作用，之前我們介紹過另一種防止信號(hào)反射的解決措施，就是在信號(hào)的發(fā)送端串聯(lián)一個(gè)電阻，從信號(hào)源端把問題解決，我們本次講的端接方式是從信號(hào)的末端入手，消除信號(hào)反射！

信號(hào)末端端接的方式有很多種，基本端接樣式式如下圖所示：

通常這些端接都可以有效的抑制信號(hào)的反射，不同的端接的應(yīng)用場(chǎng)景也是有點(diǎn)區(qū)別的。

終端匹配電阻通過調(diào)整傳輸線末端的阻抗，使得反射信號(hào)與原始信號(hào)相互抵消。當(dāng)傳輸線末端的阻抗與數(shù)據(jù)線之間的阻抗相匹配時(shí)，反射波最小，從而提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和穩(wěn)定性。

戴維南端接使用了兩個(gè)電阻并聯(lián)的方式，一個(gè)電阻下拉到地，一個(gè)電阻上拉到電源，其中接電源的電阻可以使驅(qū)動(dòng)器更加容易到達(dá)邏輯高電平，接地的電阻可以使驅(qū)動(dòng)器更加容易到達(dá)邏輯低電平，這兩個(gè)并聯(lián)電阻需要與傳輸線的阻抗相匹配，比如兩個(gè)電阻為R1和R2兩個(gè)電阻的阻值選取需要滿足公式Z0=R1*R2/R1+R2。

AC端接是在原有單一電阻端接上加了一個(gè)電容，一般采用0.1uF多層陶瓷電容，電容具有隔直流通交流的特性，因此可以有效的降低功率消耗，同時(shí)電容容值選取適當(dāng)可以有效消除信號(hào)的過沖和下沖。

肖特基二極管端接是由兩個(gè)二極管組成，傳輸線末端任何的信號(hào)反射，如果導(dǎo)致接收器輸入端上的電壓超過VCC和二極管的正向偏值電壓，該二極管就會(huì)正向?qū)ㄟB接到VCC上。該二極管導(dǎo)通從而將信號(hào)的過沖箝位到VCC和二極管的閾值電壓的和上。

同樣連接到地上的二極管也可以將信號(hào)的下沖限制在二極管的正向偏置電壓上。然而該二極管不會(huì)吸收任何的能量，而僅僅只是將能量導(dǎo)向電源或者是地。該端接能有效減小信號(hào)過沖和下沖，但是二極管的開關(guān)速度會(huì)限制響應(yīng)時(shí)間，所以較高速系統(tǒng)不合適。

端接的方式有很多種，但是其目的都是一樣的，都是為了改善信號(hào)的質(zhì)量，我們應(yīng)該在合適的場(chǎng)景下選擇相應(yīng)的端接方式。同時(shí)我們需要注意的是端接電阻需要盡量靠近最后一片DDR顆粒，這樣信號(hào)的改善效果最好。

審核編輯：劉清