臺積電和ITRI成功研發(fā)SOT-MRAM，功耗僅為STT-MRAM的百分之一

據(jù)報道，臺積電股份有限公司與工業(yè)技術(shù)研究院合作研發(fā)出名為“自旋軌道力矩式磁性內(nèi)存” （SOT-MRAM） 的下一代 MRAM 存儲器，搭載創(chuàng)新算法，能源消耗較同類技術(shù) STT-MRAM 降低了約百分之九十九，這將有效提升其在AI和高性能計算（HPC）領(lǐng)域的競爭力。

鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。

作為全球半導(dǎo)體巨頭之一，臺積電早已開始涉足MRAM產(chǎn)品的研究開發(fā)，現(xiàn)已成功開發(fā)出22納米、16/12納米工藝的相應(yīng)產(chǎn)品線。如今再次推出新款超低功耗SOT-MRAM，有望繼續(xù)加強其市場領(lǐng)袖地位。據(jù)官方宣稱，新的SOT-MRAM內(nèi)存功耗僅為STT-MRAM的百分之一，同時形成的科研成果也處于國際領(lǐng)先地位，并且在備受矚目的國際電子元件會議（IEDM）上得到發(fā)表。

值得注意的是，STT-MRAM是一種使用自旋電流進行信息寫入的新型非易失性磁隨機存儲器，屬于第二代磁性存儲器MRAM。其存儲單元主要由兩層不同厚度的鐵磁層和一層幾個納米厚的非磁性隔離層構(gòu)成。