MOS管的參數(shù)縮寫

描述：MOSFET的最大允許電壓。參數(shù)：額定電壓 - VR (Voltage Rating)

描述：MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。參數(shù)：額定電流 - IR (Current Rating)

描述：MOSFET在導通狀態(tài)下，源極和漏極之間的電阻值。導通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。參數(shù)：導通電阻 - RON (On-Resistance)

描述：MOSFET的開關轉換時間，包括開啟時間和關閉時間。開關速度對于高頻應用至關重要。參數(shù)：開關速度 - TON, TOFF (Switching Time)

描述：MOSFET開始導通的最低電壓。閾值電壓越低，器件的開關速度越快。參數(shù)：閾值電壓 - VTH (Threshold Voltage)

描述：MOSFET在雪崩效應發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)

描述：MOSFET內(nèi)部芯片的最高工作溫度。結溫過高可能導致器件性能下降或損壞。參數(shù)：結溫 - TJ (Junction Temperature)

描述：MOSFET柵極與源極之間的電容。輸入電容的大小影響開關速度和驅(qū)動能力。參數(shù)：輸入電容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)

描述：MOSFET漏極與源極之間的電容。輸出電容的大小影響開關速度和驅(qū)動能力。參數(shù)：輸出電容 - Coss, Cds (Output Capacitance)

描述：MOSFET柵極與漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關速度和信號質(zhì)量。參數(shù)：反向傳輸電容 - Crss, Cgd (Reverse Transfer Capacitance)

漏源電壓(VDS)：MOSFET的漏極和源極之間的電壓。漏源電壓是MOSFET能夠承受的最大電壓，超過此電壓可能導致器件損壞。

漏源電流(IDS)：流過MOSFET漏極和源極之間的電流。漏源電流的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。

柵源電壓(VGS)：加在MOSFET柵極和源極之間的電壓。柵源電壓控制MOSFET的開關狀態(tài)，從而影響漏源電流的通斷。

驅(qū)動電壓(VDRV)：驅(qū)動電路提供的電壓，用于控制MOSFET的柵源電壓。驅(qū)動電壓的大小和穩(wěn)定性影響MOSFET的開關性能和可靠性。

動態(tài)電阻(Ron)：在導通狀態(tài)下，MOSFET的漏源電阻隨漏源電流的變化而變化。動態(tài)電阻越小，表示MOSFET的導電性能越好。

反向傳輸電容(Cgd)：MOSFET的柵極和漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開關速度和信號質(zhì)量。

導通電阻(Ron)：是指當MOSFET處于導通狀態(tài)時，從源極到漏極的導通電阻。導通電阻越小，表示MOSFET在導通狀態(tài)下有更好的導電能力，能夠傳輸更大的電流，也能提供更低的功耗。

泄漏電流(Igss)：是指MOSFET在關閉狀態(tài)下的漏電流。泄漏電流應盡可能小，以確保在關閉狀態(tài)下無功率損失。

閾值電壓(Vth)：是指MOSFET開始導通的電壓。

最大漏源電流(ID)：是指MOSFET正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過ID。此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額。

最大脈沖漏源電流(IDM)：此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額。

最大柵源電壓(VGS)：是指MOSFET正常工作時，加在柵極和源極之間的最大電壓。

漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)：是指柵源電壓VGS為0時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。

開啟電壓(VGS(th))：當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所降低。

耗散功率(PD)：是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所減額。

最大工作結溫(Tj)：通常為150℃或175℃，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。

審核編輯：湯梓紅