1 月 25 日訊息顯示,英特爾已實現(xiàn)基于先進(jìn)封裝科技的大規(guī)模量產(chǎn),包括創(chuàng)新的 Foveros 3D 封裝技術(shù)。這項技術(shù),由英特爾于新墨西哥州 fab 9 工廠進(jìn)行深度革新與升級后正式投產(chǎn)后披露。英特爾公司首席運營官 Keyvan Esfarjani 稱:“這類尖端封裝技術(shù)使英特爾脫穎而出,助益客戶在提升芯片性能、縮小尺寸以及增強(qiáng)設(shè)計靈活性等方面掌握競爭優(yōu)勢?!?/p>
眾所周知,整個半導(dǎo)體領(lǐng)域正邁進(jìn)一個同時整合多個‘芯?!–hiplets,也被稱為‘小芯片’)在同一封裝中的多元時代。基于此,英特爾的 Foveros 及新型 EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等高級封裝解決方案被譽為能將一萬億個晶體管融于單一封裝之內(nèi),且有望在2030年后助力延續(xù)摩爾定律。
具體來講,F(xiàn)overos 3D先進(jìn)封裝技術(shù)在處理器制造過程中,能以垂直角度替代傳統(tǒng)的水平堆疊計算模塊。更重要的是,F(xiàn)overos賦予了英特爾及其合作伙伴將各類芯片混合在一起,從而達(dá)到優(yōu)化成本和能源效率的目的。
英特爾甚至透露,預(yù)計至2025年,旗下Foveros3D封裝產(chǎn)能將有四倍增長。
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