不管是Nor-flash還是Nand-flash,單位cell的結(jié)構(gòu)都類似如下,為雙gate的MOS結(jié)構(gòu)。中間一層floating gate無漏電存在,可以保存住電荷而實現(xiàn)非易失。
Floating gate上電荷轉(zhuǎn)移需要外加電壓實現(xiàn)。在Control gate和溝道之間施加的反向電壓可以去除電荷,也即擦除erase操作。在Control gate和溝道或source 之間施加正向電壓可以將電荷轉(zhuǎn)移到floating gate上。
flash存儲器的三個特點
Flash存儲器具有三個顯著的特點:
區(qū)塊結(jié)構(gòu):Flash存儲器在物理上被分成若干個區(qū)塊,這些區(qū)塊之間相互獨立。這種結(jié)構(gòu)使得對存儲器的操作可以更加靈活和高效。
先擦后寫:Flash存儲器的寫操作具有特殊性,它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0,而不能從0寫成1。因此,在對存儲器進行寫入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。需要注意的是,擦除操作的最小單位是一個區(qū)塊,而不是單個字節(jié)。
操作指令:執(zhí)行寫操作時,必須輸入一串特殊指令(如NOR Flash)或者完成一段時序(如NAND Flash),才能將數(shù)據(jù)寫入存儲器。
Flash存儲器還具有固有不揮發(fā)性的特點,與磁存儲器相似,不需要后備電源來保持數(shù)據(jù)。因此,它具有無需電能保持數(shù)據(jù)的優(yōu)點。
不同類型的Flash存儲器(如NOR Flash和NAND Flash)可能在某些特性上存在差異。
Flash存儲器的優(yōu)缺點分別是什么
Flash存儲器的優(yōu)點主要包括以下幾點:
數(shù)據(jù)存儲非易失性:Flash存儲器中的數(shù)據(jù)在斷電后不會丟失,具有固有不揮發(fā)性的特點,因此不需要后備電源來保持數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)存儲速度快:Flash存儲器具有較快的讀寫速度,能夠滿足許多應(yīng)用對高速存儲的需求。
數(shù)據(jù)存儲密度高:Flash存儲器具有較高的存儲容量和密度,能夠滿足大容量數(shù)據(jù)存儲的需求。
功耗低:Flash存儲器的功耗相對較低,有利于節(jié)能減排和延長設(shè)備使用壽命。
然而,F(xiàn)lash存儲器也存在一些缺點:
寫入次數(shù)有限:Flash存儲器的寫入次數(shù)有限,一般只能進行有限的擦寫周期。超過這個周期后,存儲器的性能會受到影響,甚至可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
數(shù)據(jù)安全性有待提高:由于Flash存儲器的數(shù)據(jù)是以區(qū)塊為單位進行擦除和寫入的,因此可能存在數(shù)據(jù)損壞或丟失的風(fēng)險。此外,如果存儲器遭受物理損壞或不當(dāng)操作,也可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或損壞。
請注意,不同類型的Flash存儲器(如NOR Flash和NAND Flash)在優(yōu)缺點方面可能存在差異。在選擇和使用Flash存儲器時,建議綜合考慮其特點和應(yīng)用需求,以確保滿足實際需求。
審核編輯:黃飛
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