Microchip推出3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器

萬物電氣化推動(dòng)了碳化硅（SiC）技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高壓應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛采用。為了幫助開發(fā)人員部署SiC解決方案并快速推進(jìn)開發(fā)流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching 專利技術(shù)的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC柵極驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器采用預(yù)配置模塊設(shè)置，開箱即用，可顯著縮短設(shè)計(jì)和評(píng)估時(shí)間。

為了加快產(chǎn)品上市，這款即插即用的解決方案已經(jīng)完成了柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證等復(fù)雜的開發(fā)工作。XIFM 數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器是一種結(jié)構(gòu)緊湊的解決方案，具備數(shù)字控制、集成電源和可提高抗噪能力的堅(jiān)固光纖接口。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有預(yù)配置的“開/關(guān)”柵極驅(qū)動(dòng)曲線，可量身定制以優(yōu)化模塊性能。

它具有10.2 kV初級(jí)到次級(jí)強(qiáng)化隔離，內(nèi)置監(jiān)控和保護(hù)功能，包括溫度和直流鏈路監(jiān)控、欠壓鎖定（UVLO）、過壓鎖定（OVLO）、短路/過流保護(hù)（DESAT）和負(fù)溫度系數(shù) （NTC）。這款柵極驅(qū)動(dòng)器還符合鐵路應(yīng)用的重要規(guī)范EN 50155標(biāo)準(zhǔn)。

Microchip碳化硅業(yè)務(wù)部副總裁Clayton Pillion表示：“隨著碳化硅市場(chǎng)的不斷發(fā)展和對(duì)更高電壓極限的不斷突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC柵極驅(qū)動(dòng)器等交鑰匙解決方案，使電源系統(tǒng)開發(fā)商更容易采用寬帶隙技術(shù)。與傳統(tǒng)模擬解決方案相比，該解決方案通過預(yù)配置柵極驅(qū)動(dòng)電路，可將設(shè)計(jì)周期縮短 50%?！?/p>

Microchip在SiC器件和電源解決方案的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和支持等方面擁有20多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠幫助客戶輕松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC產(chǎn)品可提供最低的系統(tǒng)成本、最快的上市時(shí)間和最低的風(fēng)險(xiǎn)。Microchip 的 mSiC 產(chǎn)品包括具有標(biāo)準(zhǔn)、修改和定制選項(xiàng)的 SiC MOSFET、二極管和柵極驅(qū)動(dòng)器。如需了解有關(guān)Microchip SiC產(chǎn)品組合的更多信息，請(qǐng)點(diǎn)擊此處。

審核編輯：劉清