MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用？

圖1 MOS管驅(qū)動(dòng)等效電路

仿真分析

如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通。

以英飛凌MOS管IMZA65R048M1H為例，相關(guān)寄生參數(shù)為

設(shè)此時(shí)應(yīng)力Vds為600V，Cgs兩端電壓為

此時(shí)Vgs已經(jīng)達(dá)到，管子開啟電壓Vgs(th)

如果Cgs兩端并接電阻R=10k

此時(shí)Vgs會(huì)慢慢降為0，Vds基本落在Cgd兩端，但是還是會(huì)有一個(gè)較高的電壓尖峰，此時(shí)Cgs兩端并聯(lián)一個(gè)2.2nF的電容，此時(shí)可以發(fā)現(xiàn)電壓尖峰只有2.2V左右，可以有效防止MOS管的誤導(dǎo)通。

結(jié)論：Cgs兩端并接阻容可以有效防止MOS管的誤導(dǎo)通。