云天半導(dǎo)體突破2.5D高密度玻璃中介層技術(shù)

云天半導(dǎo)體突破2.5D高密度玻璃中介層技術(shù)

隨著人工智能的興起，2.5D中介層轉(zhuǎn)接板作為先進(jìn)封裝集成的關(guān)鍵技術(shù)，近年來(lái)得到迅猛發(fā)展。與硅基相比，玻璃基（TGV）具有優(yōu)良的高頻電學(xué)、力學(xué)性能、工藝流程簡(jiǎn)化和成本低等優(yōu)勢(shì)，并能實(shí)現(xiàn)光電合封，是理想的芯粒三維集成解決方案。

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圖1 封裝面積為2700mm2的TGV轉(zhuǎn)接板

近年來(lái)，廈門(mén)云天半導(dǎo)體科技有限公司致力于研發(fā)玻璃通孔及其集成技術(shù)，開(kāi)發(fā)了高精度、高深寬比玻璃孔制備技術(shù)、高性能玻璃基IPD技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)。面向高性能芯粒集成需求，云天半導(dǎo)體成功研發(fā)了高密度玻璃轉(zhuǎn)接板技術(shù)。大尺寸TGV轉(zhuǎn)接板樣品如圖1所示，該玻璃轉(zhuǎn)接板面積為2700mm2（60mm×45mm），厚度為80μm，TGV開(kāi)口直徑25μm，實(shí)現(xiàn)8：1高深寬比的TGV盲孔無(wú)孔洞填充。金屬布線(xiàn)采用無(wú)機(jī)薄膜介質(zhì)材料，實(shí)現(xiàn)3層RDL堆疊，通過(guò)調(diào)試干法刻蝕參數(shù)、優(yōu)化CMP拋光能力實(shí)現(xiàn)細(xì)間距RDL，其中最小L/S可達(dá)1.5/1.5μm（如圖2）。并通過(guò)多場(chǎng)reticle拼接技術(shù)可滿(mǎn)足大尺寸轉(zhuǎn)接板制備，其中拼接精度可控在100nm以?xún)?nèi)（如圖3）。電性測(cè)試結(jié)果表明基于玻璃基的無(wú)機(jī)RDL結(jié)構(gòu)較有機(jī)RDL損耗降低10%。

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圖2 多層RDL堆疊晶圓

圖3 細(xì)長(zhǎng)RDL拼接

基于玻璃基板的綜合性能以及近期Intel發(fā)布的未來(lái)發(fā)展規(guī)劃，業(yè)界高度重視玻璃基板技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品應(yīng)用。云天半導(dǎo)體的高密度玻璃中介層技術(shù)未來(lái)將助力AI等應(yīng)用的CPU、GPU產(chǎn)品的先進(jìn)封裝。

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