場效應管是如何導通的 場效應管導通和截止的條件

場效應管是如何導通的

在使用場效應管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮場效應管的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。

場效應管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態(tài)。由于場效應管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓UGS決定其工作狀態(tài)。N溝道結型場效應管的特性：Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

P溝道結型場效應管的特性：Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然P溝道結型場效應管可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用N溝道結型場效應管。

場效應管導通電阻越小越好嗎

在一般情況下，場效應管（FET）的導通電阻越小越好，因為較小的導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。

對于MOSFET來說，在導通狀態(tài)下，較小的導通電阻意味著更高的導電性能，能夠實現(xiàn)更好的開關速度和更小的功耗。而對于JFET來說，較小的導通電阻也意味著更大的電流能夠通過，提供更好的放大和開關特性。

然而，在某些特定的應用場景下，也可能需要較大的導通電阻，比如在放大器設計中，一些低噪聲放大器需要較大的輸入電阻，這時候就需要選擇適合的FET器件，使其有較大的輸入電阻。

場效應管導通和截止的條件

場效應管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種三端口的半導體器件，常見的有金屬氧化物場效應管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）和結型場效應管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）。FET的導通和截止取決于柵極控制區(qū)域的電場對通道的控制。

1. MOSFET 導通和截止的條件：

- 導通： MOSFET 的導通是通過調控柵極電場來控制，當柵極與源極之間施加一定電壓，形成足夠的電場，使通道區(qū)域形成導電路徑，從而電流得以流通。

- 截止： MOSFET 的截止是指柵極控制區(qū)域不再形成足夠電場，無法形成導電路徑，通道區(qū)域無法導通，此時器件處于截止狀態(tài)。

2. JFET 導通和截止的條件：

- 導通： JFET 的導通是由柵極 - 源極間的電壓（或電流）控制的。當柵極的電壓為零或負電壓，結型場效應管的通道會形成導電通路，電流得以流通。

- 截止： JFET 的截止是指柵極控制區(qū)域不存在足夠的電場，通道無法導通，電流無法流通，器件處于截止狀態(tài)。

無論是MOSFET還是JFET，在導通狀態(tài)下，柵極產(chǎn)生足夠的電場使通道區(qū)域形成導電路徑，而在截止狀態(tài)下，電場不足以形成導電路徑，導致通道無法導通，器件處于截止狀態(tài)。

審核編輯：黃飛