場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
場效應管怎么區(qū)分n溝道p溝道
場效應管按溝道分可分為N溝道和P溝道管(在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。
按材料分可分為結型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分為耗盡型和增強型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管,并且大多采用增強型的N溝道,其次是增強型的P溝道,結型管和耗盡型管幾乎不用。
n溝道場效應管(N-channel FET)和p溝道場效應管(P-channel FET),它們之間的區(qū)別在于導電通道的類型及極性。
1. N溝道場效應管(N-channel FET):
- 導電通道類型: N溝道場效應管的導電通道是n型半導體構成的,在介質中需要接通陽極(source)和陰極(drain)之間的電流,需要施加正電壓到柵極(gate)上。
- 極性: N溝道場效應管的柵極對源極的介質結構呈負電壓。
2. P溝道場效應管(P-channel FET):
- 導電通道類型: P溝道場效應管的導電通道是p型半導體構成的,在介質中需要接通陰極和陽極之間的電流,需要施加負電壓到柵極上。
- 極性: P溝道場效應管的柵極對源極的介質結構呈正電壓。
區(qū)分N溝道場效應管和P溝道場效應管的方法通常包括以下幾點:
- 引腳標識: 查看FET器件的引腳,通常會有標明N溝道或P溝道的標識。
- datasheet: 查看器件的datasheet,其中會明確指出器件的類型是N溝道還是P溝道。
- 測試方法: 可以通過外部測試電路,如萬用表等儀器,對器件進行測試來確認器件類型。
MOS管導通條件
N溝道:Ug》Us時導通。(簡單認為)Ug=Us時截止。
P溝道:Ug《us時導通。(簡單認為)ug=us時截止。《 p=“”》
注意一點,MOS管做開關器件的時候,輸入輸出一定不能接反,接反的寄生二極管一直處于導通狀態(tài),MOS本身就失去開關的作用了。
審核編輯:黃飛
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