東芝推出新一代高速二極管型功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。

DTMOSVI系列中的兩款明星產(chǎn)品——"TK042N65Z5"和"TK095N65Z5"，采用了先進的TO-247封裝技術(shù)，在650V的工作電壓下展現(xiàn)了卓越的N溝道功率MOSFET性能。這兩款產(chǎn)品不僅繼承了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的優(yōu)秀特性，還在反向恢復(fù)特性和高溫下的漏極截止電流方面進行了顯著優(yōu)化。

據(jù)東芝介紹，新推出的DTMOSVI（HSD）工藝有效改善了反向恢復(fù)特性，這意味著在開關(guān)電源的應(yīng)用中，新器件能更快速地完成反向電流的切換，從而提高了電源系統(tǒng)的整體效率。同時，在高溫環(huán)境下，新器件的漏極截止電流更低，這有助于減少電源系統(tǒng)的熱損耗，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

值得一提的是，東芝計劃在未來進一步擴展DTMOSVI（HSD）的產(chǎn)品線，以滿足更多不同應(yīng)用場景的需求。新器件將采用包括TO-220和TO-220SIS通孔型封裝，以及TOLL和DFN 8×8表貼型封裝在內(nèi)的多種封裝形式，為客戶提供更多的選擇空間。

業(yè)內(nèi)專家分析認(rèn)為，東芝此次推出的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET，不僅在技術(shù)上取得了重要突破，還積極響應(yīng)了當(dāng)前市場對高效、穩(wěn)定電源系統(tǒng)的迫切需求。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，將進一步鞏固東芝在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位，并推動整個行業(yè)的技術(shù)進步。

隨著數(shù)據(jù)中心和光伏市場的快速發(fā)展，對高效、可靠的電源系統(tǒng)的需求日益增長。東芝此次推出的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET，無疑為這些領(lǐng)域提供了更加優(yōu)秀的解決方案。未來，我們期待東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域繼續(xù)發(fā)揮創(chuàng)新引領(lǐng)作用，為行業(yè)發(fā)展注入更多活力。