3月13日消息,據(jù)外媒報道,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導(dǎo)電薄膜(NCF)技術(shù)。
三位直接知情人士稱,三星已經(jīng)發(fā)出了處理 MR-MUF 技術(shù)的設(shè)備采購訂單?!叭潜仨毑扇∫恍┐胧﹣硖岣咂?HBM 良率…… 采用 MUF 技術(shù)對三星來說有點像是拋棄自尊心的決定,因為這相當于效仿了 SK 海力士的行為。”
有分析師表示,三星的 HBM3 芯片生產(chǎn)良率約為 10-20%,而 SK 海力士的 HBM3 生產(chǎn)良率約為 60-70%。隨著 AI 行業(yè)的火熱,業(yè)界對于 HBM3 和 HBM3E 需求越來越高,三星必須盡快做出改變。
消息人士稱,三星還在與包括日本長瀨集團在內(nèi)的材料供應(yīng)商洽談采購 MUF 材料的事宜,但使用這一技術(shù)的高端芯片最早要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn),因為三星還需要進行大量測試。IT之家注:長瀨產(chǎn)業(yè)株式會社是擁有近 200 年歷史的日本十大商社之一,是全世界最大的專業(yè)化工商社。
三位消息人士還表示,三星計劃在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技術(shù)。
三星回應(yīng)稱,其內(nèi)部開發(fā)的 NCF 技術(shù)是適用于 HBM 產(chǎn)品的“最佳解決方案”,并將用于其 HBM3E 芯片,后續(xù)“將按照計劃推進 HBM3E 產(chǎn)品業(yè)務(wù)”,而英偉達和長瀨拒絕置評。
審核編輯:劉清
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原文標題:三星HBM3良率僅為20%!
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