在近日,中國企業(yè)長鑫存儲技術(shù)有限公司展示了其專利——“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法”。此項專利已于申請公布日2024年3月12日正式公開,公開編號為CN117693193A。
這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu):基底,基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu),隔離結(jié)構(gòu),它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間;隔離結(jié)構(gòu)頂部高度低于電容接觸結(jié)構(gòu);隔離凹槽,從隔離結(jié)構(gòu)頂部延伸到內(nèi)部空間,且與電容接觸結(jié)構(gòu)保持距離。
通過在隔離結(jié)構(gòu)頂部設(shè)計隔離凹槽,可以有效地防止由于電容接觸材料氧化所引起的相鄰電容接觸結(jié)構(gòu)的互相干擾,從而防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來,后續(xù)的電容生成過程就不會受到干擾,提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和使用可靠性,進(jìn)而提升了整體半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的質(zhì)量水平和電子性能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
半導(dǎo)體存儲器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種
發(fā)表于 08-20 09:34
?641次閱讀
半導(dǎo)體存儲器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種
發(fā)表于 08-10 16:40
?917次閱讀
該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道,驅(qū)動部可在第一位置與第二位置間移動,在第一位置時,驅(qū)動部與冷卻部共同支撐待冷卻的半導(dǎo)體器件;
發(fā)表于 04-26 09:40
?297次閱讀
該專利主要涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種全新的功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備設(shè)計方案。其中,功率模塊由絕緣基板和半橋結(jié)構(gòu)組成,半橋結(jié)構(gòu)包含相
發(fā)表于 04-22 09:58
?411次閱讀
這項發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依次安置著射頻匹配器、氣體分配盤、晶圓托盤以及氣體排出部分。
發(fā)表于 04-03 09:48
?262次閱讀
芯片封測行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)長電科技近日宣布,將斥資6.24億美元收購晟碟半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡稱“晟碟半導(dǎo)體”)80%的股權(quán),以進(jìn)一步擴(kuò)大公司在存儲及運(yùn)算電子領(lǐng)域的市場份額。
發(fā)表于 03-05 11:10
?1136次閱讀
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精,微薄”,半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小,越來越微細(xì),因此對于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高,在芯片
發(fā)表于 01-02 17:08
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利,
發(fā)表于 12-04 10:03
?364次閱讀
與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。長鑫
發(fā)表于 11-30 17:39
?1424次閱讀
長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝,這是長鑫存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
發(fā)表于 11-29 11:11
?839次閱讀
長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗證。lpddr5是長
發(fā)表于 11-29 09:31
?1132次閱讀
專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下:第一夾雜著離子的電路板;位于基板內(nèi)的深
發(fā)表于 11-21 15:34
?490次閱讀
根據(jù)專利摘要,該公開提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、裝置及存儲介質(zhì)。該方法
發(fā)表于 11-17 10:08
?758次閱讀
據(jù)專利摘要本公開涉及一種延遲電路及半導(dǎo)體存儲器,所述延遲電路包括溫度控制模塊補(bǔ)償及延時模塊、溫度補(bǔ)償控制模塊根據(jù)接收到的控制信號初期,實(shí)時環(huán)境溫度,溫度系數(shù)補(bǔ)償信號及溫度系數(shù),以便生成信號控制目標(biāo)溫度控制信號,給予補(bǔ)償。
發(fā)表于 11-09 09:50
?566次閱讀
根據(jù)專利摘要,該申請涉及提高三維存儲器存儲密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層
發(fā)表于 10-30 11:32
?884次閱讀
評論