下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力
加利福尼亞州托倫斯2024年3月13日訊— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。
納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast和GeneSiC應(yīng)用及解決方案,包括:
功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)
高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)
氮化鎵大功率旗艦—GaNSafe寬禁帶平臺
本次展會上,納微半導(dǎo)體將聯(lián)手綠聯(lián),展出多款搭載了納微GaNFast氮化鎵功率芯片的綠聯(lián)氮化鎵充電器,包括爆款30W和65W Q湃機(jī)器人海外版、磁吸100W數(shù)碼能量站以及大功率300W桌面充電站。同時,納微還將展出其他筆記本電腦、智能手機(jī)配備的氮化鎵充電器,觀眾可前往納微展臺親身體驗如閃電般迅速的GaNFast快充動力。
納微半導(dǎo)體的技術(shù)市場經(jīng)理胡燁,將在3月22日同期舉辦的2024世界氮化鎵大會上,帶來《開啟氮化鎵的“芯”篇章:納微集成驅(qū)動和無損電流采樣的GaNSense HalfBridge方案》的主題演講。
亞洲充電展將于2024年3月20-22日在深圳市福田會展中心6號館盛大舉辦,納微誠邀您參觀展位號為B57-B60的“納微芯球”展臺,探索下一代功率半導(dǎo)體的強(qiáng)大之處。經(jīng)驗豐富的納微銷售和應(yīng)用團(tuán)隊及經(jīng)銷商將為您提供各項技術(shù)支持。
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原文標(biāo)題:納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展, 最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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