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DDR phy內(nèi)存控制器的作用是什么?

數(shù)字芯片實驗室 ? 來源:數(shù)字芯片實驗室 ? 2024-03-19 12:30 ? 次閱讀

內(nèi)存子系統(tǒng)是 SoC 中最復雜的系統(tǒng)之一,對芯片的整體性能至關重要。近年來,內(nèi)存市場呈爆炸式增長,在移動、消費和企業(yè)系統(tǒng)中勢頭強勁。這不僅導致內(nèi)存控制器 (MC) 越來越復雜,還導致將內(nèi)存子系統(tǒng)連接到外部 DRAM 的 PHY變得非常復雜。

由于 SoC 和 DRAM 之間的數(shù)據(jù)高速傳輸,因此有必要對內(nèi)存接口信號進行復雜的training以獲得最佳操作(更好的眼圖)。

MC 和 PHY 的集成是一個重大挑戰(zhàn),特別是如果兩個IP 塊來自不同的供應商(當然即使同一家供應商也可能是獨立開發(fā)的)。關鍵原因是內(nèi)存協(xié)議的快速發(fā)展,以及控制器和 PHY 之間的 DFI 接口在 MC-PHY training的要求方面沒有完全指定,或者在某些情況下是模棱兩可的。

為什么 MC-PHY 集成現(xiàn)在不是一個大問題?

隨著 DFI MC-PHY 接口規(guī)范的推進,事情正朝著正確的方向發(fā)展。對于不熟悉 DFI 的人來說,這是一個行業(yè)標準,它定義了任何通用 MC 和 PHY 之間的接口信號和協(xié)議。自 2006 年 DFI 1.0 問世以來,該規(guī)范穩(wěn)步發(fā)展,涵蓋了 MC-PHY 操作的所有方面。

但這并不是 MC-PHY 集成變得更容易的唯一原因。為了更好地理解這一點,我們需要研究 MC 和 PHY 在training過程中如何相互作用。有兩種基本方法可以trainingmemory信號:

PHY evaluation mode or DFI Training mode- 此模式可由 PHY 或MC 啟動,無論哪一方啟動training,MC 都會設置DRAMgate/read data eye/write/CA training,并定期發(fā)出read或write等training命令。PHY 負責確定每個操作正確的編程延遲,但 MC 必須啟用和禁用 DRAM 和 PHY 中的training邏輯,以及生成必要的read/write/mrr命令。因此,DFI Training mode需要MC進行足夠多的配合,并且在早期的 DFI 規(guī)范中是強制性的。然而在較新的DFI中,這種DFI Training mode已成為 MC 的可選項。

PHY independent mode– 這是一種 PHY 執(zhí)行DRAM training的模式,MC 很少參與。PHY 生成所有read/write命令并編程每個操作的延遲,而 MC 耐心等待“done”狀態(tài)。

PHY IP 提供商已決定通過在其IP中實現(xiàn)對PHY independent mode的支持來獲得training的所有權,保留基于其PHY架構優(yōu)化 PHY training算法控制權。

隨著 PHY 復雜性和DDR速率增加的挑戰(zhàn),對 PHY independent mode的支持為PHY IP提供商增加了寶貴的差異化優(yōu)勢。

在PHY-independent mode中,內(nèi)存控制器的作用是什么?

由于 PHY 在training期間承擔了大部分繁重的工作,因此 MC 只需要關注兩個問題:

何時發(fā)出training請求?

將控制權交給 PHY 進行training時,DRAM需要處于什么狀態(tài),當 PHY 將控制權交還給 MC 時,DRAM將處于什么狀態(tài)?

因此,MC 將 PHY training的請求作為中斷進行處理,它需要安排一些為實現(xiàn)最佳內(nèi)存操作所做的許多事情。?

審核編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:內(nèi)存控制器(MC)和DDR phy的集成

文章出處:【微信號:數(shù)字芯片實驗室,微信公眾號:數(shù)字芯片實驗室】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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