泰克云上大講堂—如何測量MOSFET柵極電荷
功率MOSFET是一種在電源管理、信號處理、汽車電子和可再生能源系統(tǒng)等多種應(yīng)用中廣泛使用的高效半導(dǎo)體開關(guān)器件。其器件的開關(guān)速度受到內(nèi)部電容的影響，通常在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中以Ciss（輸入電容）和Coss（輸出電容）指出，它們源自于輸入的柵極與漏極之間的電容Cgs和Cgd。除了這些電容參數(shù)之外，柵電荷（Qgs和Qgd）的測量也是評估MOSFET開關(guān)性能的一個關(guān)鍵因素。
然而在進(jìn)行實際測試時，常見的測試難點有：
1. 測試的動態(tài)范圍較大，需要使用專門的測試方法和儀器來準(zhǔn)確測量；
2. 為了確保測試結(jié)果的有效性和通用性，必須嚴(yán)格遵守JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
直播預(yù)告（3月22日）
本期云上大講堂，泰克高級應(yīng)用工程師 林彩霞就將為大家詳細(xì)解讀如何測量MOSFET柵極電荷：
■MOSFET的評估參數(shù)簡介
■解析開關(guān)性能的重要評估參數(shù)—柵電荷
■JEDEC柵電荷測試方法&演示
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：3月22日|泰克云上大講堂—如何測量MOSFET柵極電荷
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發(fā)表于 04-10 14:22
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