功率MOSFET是一種在電源管理、信號處理、汽車電子和可再生能源系統(tǒng)等多種應(yīng)用中廣泛使用的高效半導(dǎo)體開關(guān)器件。其器件的開關(guān)速度受到內(nèi)部電容的影響,通常在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中以Ciss(輸入電容)和Coss(輸出電容)指出,它們源自于輸入的柵極與漏極之間的電容Cgs和Cgd。除了這些電容參數(shù)之外,柵電荷(Qgs和Qgd)的測量也是評估MOSFET開關(guān)性能的一個關(guān)鍵因素。
然而在進(jìn)行實際測試時,常見的測試難點有:
1. 測試的動態(tài)范圍較大,需要使用專門的測試方法和儀器來準(zhǔn)確測量;
2. 為了確保測試結(jié)果的有效性和通用性,必須嚴(yán)格遵守JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
直播預(yù)告(3月22日)
本期云上大講堂,泰克高級應(yīng)用工程師 林彩霞就將為大家詳細(xì)解讀如何測量MOSFET柵極電荷:
■MOSFET的評估參數(shù)簡介
■解析開關(guān)性能的重要評估參數(shù)—柵電荷
■JEDEC柵電荷測試方法&演示
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:3月22日|泰克云上大講堂—如何測量MOSFET柵極電荷
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