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英偉達GB200芯片引領銅纜高速連接熱潮!

線纜行業(yè)朋友分享圈 ? 來源:線纜行業(yè)朋友分享圈 ? 2024-04-02 11:45 ? 次閱讀

據(jù)QYResearch調(diào)研團隊最新報告顯示,預計2029年全球高速直連銅(DAC)電纜市場規(guī)模將達到17億美元,未來幾年的年復合增長率CAGR為12.3%。英偉達此前在全球技術大會(GTC)上發(fā)布GB200芯片架構,以及以GB200為核心的NVL72全新網(wǎng)絡架構,架構使用約5000根銅纜(共計2英里)進行交換機GPU之間的連接。

資料顯示,DAC(高速銅纜,速率>10GB的短距離傳輸)不包含電子元件,功耗低,并且延遲和插入損耗低,是成本相對較低的高速互聯(lián)方式,可以替代電子或光學連接器用于高速傳輸網(wǎng)絡。在數(shù)據(jù)中心場景中,DAC無源銅纜可以用于將服務器和GPU連接到交換機,或者連接機架內(nèi)的脊-超級脊交換機。此前DAC銅纜在NVIDIA Mellanox LinkX以太網(wǎng)架構中使用。

民生證券馬天詣等人在3月24日的研報中表示,此次GB200 NVL72架構發(fā)布將帶動高速銅纜及相關連接器需求。此外,高速銅纜在數(shù)據(jù)中心和消費應用領域具備廣闊應用場景,除在數(shù)據(jù)中心應用外,隨著超高清顯示產(chǎn)業(yè)的增長、XR元宇宙概念產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及醫(yī)療設備持續(xù)升級,高速銅纜正逐漸為更多元化的高速傳輸場景提供更多更優(yōu)的解決方案。

光退銅進趨勢,發(fā)展機遇或者曇花一現(xiàn)?

人工智能時代到來,AI大模型批量商業(yè)化落地,帶動算力需求指數(shù)級增長。在2014年、2015年的前GPU時代,算力需求翻倍的時間約為24個月。而伴隨GPT等大模型落地,算力需求進一步提升,算力需求翻倍的時間已降低至2個月。作為AI核心底座,上游的算力芯片需求井噴,其中關鍵的連接零部件——銅連接與光連接的選擇亦引起人們關注。隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的擴大,針對長距離、高速度的通信需求,光纖技術獲得青睞,但是,成本與整體能效問題,依然是考慮的重點。高速銅連接優(yōu)勢顯著;業(yè)內(nèi)人士指出,相比光連接,銅連接具備更多優(yōu)勢。銅連接應用場景更加廣闊,大部分需求都在銅連接范圍內(nèi)可以解決,故其市場規(guī)模更大。此外,銅連接在散熱效率提升、成本節(jié)約、通訊質量的高保真等方面亦有優(yōu)勢。事實上,在成本和能耗上具有顯著優(yōu)勢的銅纜高速連接器仍在持續(xù)擴張。

據(jù)LightCounting報告,作為服務器連接以及在解耦合式交換機和路由器中用作互連,高速銅纜的銷售不斷增長。預計2023年~2027年,高速銅纜的年復合增長率為25%,到2027年,高速銅纜的出貨量預計將達到2000萬條。數(shù)據(jù)中心建設將拉動高速傳輸電纜及其連接產(chǎn)品需求。資料顯示,高速銅纜分為無源銅纜和有源銅纜兩類。無源銅纜DAC常用于數(shù)據(jù)中心同機柜或相鄰機柜之間的數(shù)據(jù)傳輸,是目前高速線纜市場主流產(chǎn)品。作為數(shù)據(jù)中心物理網(wǎng)絡中的“首段高速公路”,DAC以低能耗、高傳輸速率和低部署維護成本等顯著優(yōu)勢,迅速成為AI大模型數(shù)據(jù)中心的理想互連方案。作為全球領先的核心解決方案提供商,安費諾一直在高速互連領域有著深厚的積累和領導地位,日前流出的會議紀要可以看出一些行業(yè)趨勢。

GB200

主流采用背板連接,以前是IO鏈接(走PCB),傳輸?shù)耐ǖ栏啵琁O是8對、16通道,背板32通道,64跟端子連64根銅纜

72GPU 需要72個背板連接器、2英里,3200米,外部需要

每個背板連接器+銅纜 大概700美金,大概5萬美金,內(nèi)部連接+電源連接大概11萬美金

背板連接器:中間走線16個差分對,2個需要500美金,很多需要鍍金,銅纜1米需要2美金,16米*2,32美金

背板:端子需要鍍金,防止耐磨,占比60%左右,博微合金提供連接器部件,買他們的連接器和銅纜做組裝焊接一起

銅纜:LTK(有兩部分,一部分直接是廈門高速,一部分是直接供,大概10%左右)、華訊、百通(以前是一家)、樂庭設備都是延用泰科,和國內(nèi)廠商比處于領先地位,份額占比10%以上

安費諾有一家收購的時代微波公司,這個份額大一些,占比50%以上,其中20%-30%分給其他廠商

新亞電子:主要供內(nèi)部線纜,占比40%左右,本身有的,廈門高速負責外部線纜,廈門裝備負責內(nèi)部線纜

博微合金:目前沒有聽說做銅纜,連接器的銅纜,線纜的銅主要是恒豐電子(市場份額大概60%以上,渡英導體對環(huán)保要求比較高)

FCI:背板連接器廠商

銅纜的毛利率:每家差異比較大,高端產(chǎn)品的毛利率30%-40%左右

16個通道,800G/16所以需要56G,1.6T需要112G

兆龍互聯(lián):主要是DAC,56G傳輸距離2米,112G傳輸距離1米;GB200使用背板連接器,不用DAC

金信諾:也做內(nèi)部鏈接,同軸線纜為主,近幾年才開始內(nèi)部線纜

高速線正常的毛利率30%左右

樂庭:高速線每年大概1e+,一個月正常能做到1500萬

銅纜供應商滿負荷

GB200:安費諾之前260-270m,GB200大概100m增量

高速線纜供應商推薦

對于高頻傳輸線而言,各部分的結構均勻性是決定線纜的傳輸頻率的關鍵因素。因此,作為高頻傳輸線的導體而言,表面圓整、光滑,內(nèi)部晶格排列結構均一穩(wěn)定,以保證電氣性能在長度方向上的均勻性;導體還應具有相對較低的直流電阻;同時應避免由于排線、設備或其他裝置導致內(nèi)導體周期性彎曲或非周期性的彎曲、變形和損傷等;在高頻傳輸線中,導體電阻是造成電纜衰減的主要因素,減小導體電阻有兩個途徑:增加導體 直徑,選用電阻率低的導體材料。導體直徑增加后,為滿足特性阻抗的要求,要相應的增加絕緣外徑以及成品的外徑,造成成本增加及加工不便。

常用的電阻率較低的導體材料為銀,理論上,采用銀導體,成品外徑會減少,性能會有很大的提升,但由于銀的價格要遠遠高于銅的價格,成本過高, 無法量產(chǎn),為了能夠兼顧到價格和低電阻率,我們利用趨膚效應(關于銅導體傳輸?shù)哪切┦拢瑏碓O計電纜的導體;導體中有交流電或者交變電磁場時,導體內(nèi)部會產(chǎn)生電流分布不均勻的現(xiàn)象。隨著與導體表面 的距離逐漸增加,導體內(nèi)的電流密度呈指數(shù)遞減,即導體內(nèi)的電流會集中在導體的表面。從與電流方向垂直的橫切面來看,導體的中心部分電流強度基本為零,即幾乎沒有電流流過,只在導體邊緣的部分會有子流;簡單而言就是電流集中在導體的"皮膚”部分,所以稱為趨膚效應產(chǎn)生這種 效應的原因主要是變化的電磁場在導體內(nèi)部產(chǎn)生了渦旋電場,與原來的電流相抵消。

趨膚效應使得導體的電阻隨著交流電的頻率增加而增加,并導致導線傳輸電流的效率降低,耗費金屬資源,但是在高頻通信電纜的設計中,卻可以利用這一原理,在滿足同等性能要求的前提下,降低金屬耗用,從而降低成本,接下來的主材就是絕緣材料,對于線纜成品的性能有非常大的影響,比如目前高速線纜的絕緣材料各家選擇都會有所差異,絕緣材料選擇也是基于各種性能的平衡和多次驗證后的定型,舉例以上:如使用發(fā)泡,就會有物理發(fā)泡和化學發(fā)泡,基于高頻衰減性能而言,物理發(fā)泡高達50%以上的發(fā)泡度,絕對的高頻性能確實可以好,但是相對物理性能就會比較差,在接下來的工序里面容易被壓傷碰傷的風險,所有對于如何選擇每層的絕緣,并選擇何種材料,不同的材料對于制品的質量有那些,再比如鋁箔麥拉的選擇,不同的厚度,寬度,背膠層等對傳輸性能都有較大的影響,以上是基于材料的選擇,更多高速線纜生產(chǎn)技術交流歡迎添加專業(yè)廠商技術人員微信技術交流。

GB200連接技術與行業(yè)發(fā)展趨勢;GB200的核心創(chuàng)新在于集成交換機、服務器以及GPU于一體,采用刀片式服務器連接方式,結合背板線纜模式設計,不僅提高了散熱效率,還增強了信號傳輸質量。隨著Al服務器、大型交換機、路由器等領域對背板連接器需求的增長,技術正朝著正交零背板和線纜背板方向發(fā)展,盡管背板線纜成本較高,但因其傳輸距離長、布線靈活等優(yōu)點,使得在整體服務器成本中的占比提高到3%至5%,整個背板連接器行業(yè)呈現(xiàn)出需求量與價值量同步上升的趨勢。在國際市場格局方面,目前背板連接器市場主要被Affinor、MossTechnology等海外供應商占據(jù),市場份額約為60%-78%。然而,隨著國產(chǎn)替代趨勢的不斷加強,國內(nèi)廠商如華為等設備商開始大力扶持企業(yè),專利限制的逐漸減弱加速了這一進程。有望受益于這一趨勢,在Al服務器及高速互聯(lián)產(chǎn)品領域的訂單增量,預計將有力帶來未來相關廠商業(yè)績的持續(xù)增長。高速線工廠同樣積極參與國產(chǎn)替代化進程,也有望從中獲得業(yè)務發(fā)展的新機遇

審核編輯:黃飛

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原文標題:英偉達GB200芯片帶火銅纜高速連接!

文章出處:【微信號:線纜行業(yè)朋友分享圈,微信公眾號:線纜行業(yè)朋友分享圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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