建設高端半導體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造

來源：思銳智能

思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設全球一流的高端半導體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。

展會現(xiàn)場精彩瞬間

思銳智能離子注入機（IMP）模型

根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區(qū)半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節(jié)點技術(shù)表現(xiàn)出了強勁的需求和消費能力。

縱觀全局，離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基礎的制備工藝之一。2000-2023年中國大陸IC晶圓制造產(chǎn)能從占據(jù)全球2%增長到20%，未來中國產(chǎn)能持續(xù)迎接快速增長期，年均增長預計超10%。新一代集成電路制造技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)推進，國產(chǎn)化離子注入機的市場應用前景正在快速展開，這也是思銳智能重點投資布局的賽道。

集成電路制造正盛，IMP國產(chǎn)化大有可為

在同期的IC制造產(chǎn)業(yè)鏈國際論壇上，思銳智能副總經(jīng)理陳祥龍表示：“離子注入設備正在賦能新一代邏輯，存儲，圖像傳感器，功率半導體等熱門應用領域均可利用離子注入機以提升器件性能或產(chǎn)能。新興應用推動了離子注入技術(shù)創(chuàng)新，以消費市場為例，智能手機對于相機像素的要求越來越高，圖像傳感器（CIS）需要制備更高深寬比的深層光電二極管。此時，離子注入的能量將達到8MeV、最高甚至超過10MeV，高能離子注入機成為不可替代的選擇。同時，先進制程的發(fā)展也進一步推動了低能大束流機的應用。思銳智能布局了“高能離子注入機 + 大束流離子注入機”的系列產(chǎn)品組合，以應對更多應用挑戰(zhàn)?！?/p>

自2021年以來，思銳智能組建核心技術(shù)團隊，開啟離子注入設備研發(fā)攻關，2023年首臺高能離子注入機取得技術(shù)突破并獲得國內(nèi)頭部客戶訂單，同步持續(xù)完善業(yè)務布局。思銳智能高能離子注入機具備射頻傳輸效率高、能量分辨率高的優(yōu)勢，其關鍵特性包括射頻段傳輸效率達到30%-50%的水平；能量分辨率高達±1%，小于業(yè)內(nèi)的±2.5%水平等，在關鍵設備國產(chǎn)化方面實現(xiàn)了技術(shù)領先。

進入2024年，AI及其驅(qū)動的新智能應用、AI PC和AI手機、新能源汽車及工業(yè)應用等產(chǎn)業(yè)面臨新的機遇和挑戰(zhàn)。集成電路是AI技術(shù)發(fā)展的核心，而裝備則是集成電路芯片技術(shù)創(chuàng)新的基石。思銳智能愿與合作伙伴攜手，賦能半導體產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量發(fā)展，推動行業(yè)技術(shù)的創(chuàng)新與進步。

審核編輯 黃宇