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華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

華太電子 ? 來源:華太電子 ? 2024-04-10 15:01 ? 次閱讀

在當(dāng)今社會,射頻RF)技術(shù)的進步和應(yīng)用已經(jīng)深入到我們?nèi)粘I畹姆椒矫婷?,尤其是?a href="http://srfitnesspt.com/v/" target="_blank">工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域中,射頻器件的應(yīng)用促進了這些領(lǐng)域技術(shù)的飛速發(fā)展。從加速日常物品的生產(chǎn)過程到提升醫(yī)療診療的效率和安全性,再到推動科學(xué)研究的邊界,射頻技術(shù)在背后發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

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ISM系統(tǒng)解決方案涵蓋了數(shù)千種不同的應(yīng)用,這些應(yīng)用的操作頻率范圍廣泛,通常從直流(DC)延伸至600MHz,覆蓋了從高頻(HF)到甚高頻(VHF)乃至超高頻(UHF)的頻段。在這些多樣的ISM應(yīng)用中,由于時間、材料變化和不同的處理過程,負載往往呈現(xiàn)出高度的可變性。這種可變性要求RF功率放大器(RFPA)必須具備極端條件下的高度魯棒性,以應(yīng)對各種挑戰(zhàn)性的工作環(huán)境。

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在射頻功率LDMOS技術(shù)中,更高的供電電壓使得解決方案制造者能夠通過較少的元件組合達到更高的功率水平,從而提高整個系統(tǒng)的效率、降低成本和減小尺寸。隨著工作電壓提高輸出功率更大,晶體管的阻抗變得更小,這對于器件的設(shè)計能力提出了更高的要求。華太目前掌握了從半導(dǎo)體工藝、器件、芯片、封裝結(jié)構(gòu)再到放大器模組的整體方案設(shè)計能力,為終端客戶提供快速、高性能、高可靠的解決方案。

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HTH8G02P1K4H(B)是華太推出的首款高功率高耐壓射頻功放器件,專為高失配電壓駐波比(VSWR)條件下的使用而設(shè)計,通常用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)應(yīng)用。器件輸入/輸出均是unmatch設(shè)計支持1.8到200MHz的頻率使用。該器件提供了>78%的典型效率和>27dB的高增益,具體增益根據(jù)工作頻帶的寬窄有一定的差異。與其30W驅(qū)動放大器HTH7G14S030HB結(jié)合使用時,整體解決方案提供了優(yōu)異的性能,且成本頗具競爭力。

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50V和65VLDMOS產(chǎn)品系列

高擊穿電壓

增強魯棒性設(shè)計

適用于單端或Push-Pull架構(gòu)等多種形式

高功率高效率高可靠性

內(nèi)部集成的增強ESD設(shè)計

優(yōu)異的熱穩(wěn)定性

符合RoHS規(guī)范

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審核編輯:劉清
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原文標題:華太大功率功放管產(chǎn)品傾力賦能ISM應(yīng)用市場

文章出處:【微信號:華太電子,微信公眾號:華太電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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