據(jù)悉,三星有望在本月晚些時(shí)候?qū)崿F(xiàn)第九代V-NAND閃存在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位,生產(chǎn)出具有更高堆疊層次的產(chǎn)品。據(jù)三星高層Jung-Bae Lee介紹,他們計(jì)劃于今年年初開(kāi)始下一代NAND閃存的量產(chǎn)工作。
值得注意的是,2022年11月,三星成功量產(chǎn)出236層第八代V-NAND,這意味著每隔約一年半時(shí)間,三星便能推出新一代V-NAND閃存。
據(jù)韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò),三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存,其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
此外,三星將繼續(xù)采用雙閃存堆棧設(shè)計(jì),以簡(jiǎn)化工藝流程并降低制造成本。然而,預(yù)計(jì)明年推出的第十代V-NAND閃存將采用三堆棧設(shè)計(jì),這將進(jìn)一步提高3D閃存的堆疊層數(shù),同時(shí)也會(huì)增加堆棧對(duì)齊的復(fù)雜度。
半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights預(yù)測(cè),三星的第十代V-NAND閃存有望達(dá)到430層,從而鞏固其在堆疊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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