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選型應(yīng)用:TT Electronics (Semelab)射頻功率 MOSFET 晶體管對(duì)比

立年電子科技 ? 2024-04-26 11:53 ? 次閱讀

前言

TT Electronics (Semelab)射頻功率 MOSFET 晶體管比較

這里拿這三款D2205UK、D2213UK 和 D2001UKN-Channel DMOS FET 做個(gè)例子,拿到這幾個(gè)型號(hào)的規(guī)格書(shū),發(fā)現(xiàn)他們是真的省事兒,相關(guān)信息介紹的很潦草,以下是對(duì)規(guī)格書(shū)的一小部分的解讀,讓看到這篇文章的你,快速了解他們的區(qū)別。

wKgZomYrI_uAO0SDAADmbBqZiNY324.png射頻功率 MOSFET

關(guān)鍵詞解釋


DMOS:(Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)是一種半導(dǎo)體器件制造技術(shù),主要用于制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFETs)。DMOS技術(shù)通過(guò)兩次擴(kuò)散過(guò)程來(lái)形成晶體管的源極和漏極,從而實(shí)現(xiàn)較高的擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻。

RF FET:(Radio Frequency Field-Effect Transistor)通常是指射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管

TT Electronics與Semelab的關(guān)系:2008年8月21日,傳感器電子元件技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者TT Electronics宣布,通過(guò)結(jié)合這兩家領(lǐng)先公司的創(chuàng)新、創(chuàng)意和技術(shù),收購(gòu)了Semelab Ltd.大部分業(yè)務(wù)的資產(chǎn),TT electronics和Semelab將為汽車、國(guó)防、航空航天、電信、計(jì)算和工業(yè)電子市場(chǎng)的客戶提供令人振奮的新解決方案。


正文-根據(jù)文檔手冊(cè)梳理收集

TT Electronics (Semelab)提供了一系列射頻功率 MOSFET 晶體管,包括 D2205UK、D2213UK 和 D2001UK。這些器件都是采用硅 (Si) 技術(shù)的 N-Channel DMOS FET,設(shè)計(jì)用于高頻通信應(yīng)用,具有優(yōu)異的射頻性能和功率處理能力。

共同特點(diǎn):

技術(shù):所有型號(hào)均采用硅 (Si) 技術(shù)。
類型:均為 N-Channel RF Power MOSFET。
晶體管類型:均為 DMOS FET。
工作頻率:最大工作頻率均為 1 GHz。
封裝:均采用 SMD/SMT 安裝風(fēng)格。
商標(biāo):均為 Semelab/TT Electronics 品牌。
最大工作溫度:均為 +150°C。
Vgs - 柵極-源極電壓:均為 20 V。
應(yīng)用:均適用于高頻/甚高頻/超高頻通信應(yīng)用。


差異特點(diǎn):

D2205UK
輸出功率:7.5 W。
Vds - 漏源極擊穿電壓:40 V。
封裝 / 箱體:DP。
配置:Single。
功率耗散:35 W。
增益:10 dB。
尺寸:具有詳細(xì)的 A 至 N 尺寸公差。
熱阻:最大值為 5°C/W。


D2213UK
輸出功率:20 W。
Vds - 漏源極擊穿電壓:40 V。
封裝 / 箱體:DK。
配置:Dual。
功率耗散:83 W。
增益:10 dB。
熱阻:最大值為 2.1°C/W。
應(yīng)用頻率范圍:1MHz 至 2GHz。

D2001UK
輸出功率:2.5 W。
Vds - 漏源極擊穿電壓:65 V。
封裝 / 箱體:DP。
配置:Single。
功率耗散:17.5 W。
增益:13 dB。
尺寸:具體尺寸為 A x B 和 E x H。
典型應(yīng)用:VHF/UHF 通信,
頻率范圍 50 MHz 到 1 GHz。

重要提醒

  • 再末尾處,同時(shí)都提到了,這玩意敲碎了有毒啊。
  • 有害物質(zhì)警告:提示用戶在處理和安裝過(guò)程中注意,設(shè)備中陶瓷部分含有氧化鈹,其粉塵具有高毒性,需要特別注意避免損壞該區(qū)域。

相關(guān)-對(duì)應(yīng)-工作電壓-功率輸出

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D2211UK 7.2V 10W
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D2221UK 12.5V 7.5W
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D1030UK 28V 400W
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