用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓撲的SiC MOSFET

效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品，節(jié)約能源成本，更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。
在這方面，功率半導(dǎo)體在整個電能供應(yīng)鏈中提供了新的潛力，無論是作為發(fā)電、輸電或電力轉(zhuǎn)換器中電力消耗的能源組合的一部分，可再生能源的份額不斷增長。盡管最新一代的Si-MOSFET和IGBT在許多情況下仍然是很好的解決方案，但寬頻段間隙材料SiC和GaN中的晶體管功能為實現(xiàn)新的目標(biāo)要求提供了新的設(shè)計靈活性。因此，使用SiC MOSFET來提高功率轉(zhuǎn)換性能或?qū)嵤┫到y(tǒng)創(chuàng)新是當(dāng)今許多系統(tǒng)設(shè)計人員的流行方案。

在本文中，英飛凌向讀者介紹了橋式拓撲中的SiC MOSFET設(shè)計指南，例如用于電池充電和伺服驅(qū)動應(yīng)用

評估板包括一個EasyPACK ? 1B（帶CoolSiC ? MOSFET（FS45MR12W1M1_B11））、一個三相交流連接器、EMI濾波器、整流器和一個用于連接電機的三相輸出?；谀K化應(yīng)用設(shè)計套件（MADK），該板配備英飛凌標(biāo)準(zhǔn)M5 32針接口，可連接到XMC DriveCard 4400或1300等控制單元。其輸入電壓范圍為340至480 V AC。

MADK系列的新成員針對通用驅(qū)動器以及頻率非常高的伺服驅(qū)動器進行了優(yōu)化。該器件采用EasyPACK 1B Sixpack配置，采用1200 V CoolSiC MOSFET，典型導(dǎo)通電阻為45 mΩ。功率級包含電流和電壓檢測電路;它配備了無傳感器磁場定向控制（FOC）的所有組件元件。EVAL-M5-E1 B1245 N-SiC具有低電感設(shè)計、集成NTC溫度傳感器和無鉛端子電鍍，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

*附件：Infineon-SiC_MOSFETs_for_Bridge_Topologies_Power_Electronics_Europe-Article-v01_00-EN.pdf

審核編輯 黃宇