半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來測(cè)量力學(xué)應(yīng)變的傳感器。當(dāng)半導(dǎo)體材料受到外力作用時(shí),其內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)發(fā)生變形,導(dǎo)致載流子(電子和空穴)的濃度和遷移率發(fā)生變化,進(jìn)而引起材料電阻率的改變。以下是對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)變片受力時(shí)阻值變化原因的詳盡分析。
1. 壓阻效應(yīng)原理
半導(dǎo)體應(yīng)變片的工作原理基于壓阻效應(yīng),即半導(dǎo)體材料在受到機(jī)械應(yīng)力作用時(shí),其電阻率會(huì)發(fā)生變化的現(xiàn)象。這種效應(yīng)是由于應(yīng)力作用下,半導(dǎo)體晶格的周期性排列發(fā)生畸變,改變了載流子在晶格中的運(yùn)動(dòng)軌跡,從而影響了材料的導(dǎo)電性能。
2. 載流子濃度和遷移率的變化
當(dāng)半導(dǎo)體材料受到應(yīng)力作用時(shí),晶格的變形會(huì)導(dǎo)致載流子的有效質(zhì)量改變,進(jìn)而影響載流子的濃度和遷移率。這種變化最終反映為電阻值的增加或減少。
3. 晶格結(jié)構(gòu)的變形
半導(dǎo)體應(yīng)變片通常采用單晶硅作為敏感材料,因?yàn)閱尉Ч杈哂休^高的壓阻效應(yīng)。在外力作用下,硅晶格的對(duì)稱性降低,晶格常數(shù)發(fā)生變化,引起能帶結(jié)構(gòu)的改變。特別是對(duì)于p型半導(dǎo)體,空穴的有效質(zhì)量對(duì)晶格畸變非常敏感,導(dǎo)致電阻率的變化更為顯著。
4. 電阻值的變化
半導(dǎo)體應(yīng)變片的電阻變化可以通過惠斯通電橋來測(cè)量。當(dāng)應(yīng)變片粘貼在被測(cè)結(jié)構(gòu)上時(shí),結(jié)構(gòu)的應(yīng)變會(huì)引起應(yīng)變片的電阻變化。這種變化通過電橋轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào),經(jīng)過放大和濾波后,可以得到與應(yīng)變成正比的電信號(hào)輸出。
5. 溫度效應(yīng)的影響
溫度變化也會(huì)影響半導(dǎo)體應(yīng)變片的性能,因?yàn)闇囟葧?huì)改變載流子的濃度和遷移率。為了減少溫度變化對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,通常采用溫度補(bǔ)償技術(shù),如使用P型和N型半導(dǎo)體應(yīng)變片的組合來抵消溫度效應(yīng)。
6. 半導(dǎo)體應(yīng)變片的分類
半導(dǎo)體應(yīng)變片根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)不同,可以分為擴(kuò)散型、外延型和薄膜型等幾種類型 31 。每種類型的應(yīng)變片都有其獨(dú)特的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。
7. 應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體應(yīng)變片廣泛應(yīng)用于各種工程領(lǐng)域,包括機(jī)械工程、航空航天、土木工程等。它們可以用來測(cè)量應(yīng)力、應(yīng)變、壓力、扭矩、加速度等機(jī)械量。
8. 結(jié)論
半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種高靈敏度、高穩(wěn)定性的傳感器,能夠準(zhǔn)確測(cè)量各種機(jī)械應(yīng)變。其電阻值的變化主要由壓阻效應(yīng)引起,即在外力作用下,半導(dǎo)體材料晶格結(jié)構(gòu)的變形導(dǎo)致載流子濃度和遷移率的變化。通過適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和補(bǔ)償技術(shù),半導(dǎo)體應(yīng)變片可以廣泛應(yīng)用于各種測(cè)量領(lǐng)域。
-
傳感器
+關(guān)注
關(guān)注
2542文章
50241瀏覽量
750074 -
應(yīng)變片
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
46瀏覽量
11334 -
載流子
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
133瀏覽量
7622
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論