0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

使用碳化硅模塊的充電設備設計

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-06-06 11:19 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性,正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊,特別適用于各種充電設備的設計中。本文將探討使用MPRA1C65-S61 SiC模塊設計充電設備的優(yōu)勢、設計注意事項和實際應用案例。

碳化硅模塊的優(yōu)勢

高效能和低損耗:

SiC模塊相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基模塊,具有更低的導通電阻和更高的開關速度。這意味著在高頻操作下,SiC模塊能大幅減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

高溫操作能力:

SiC模塊可以在更高的溫度下運行,具有更強的熱穩(wěn)定性。這允許充電設備在更嚴苛的環(huán)境中運行,并且減少了對冷卻系統(tǒng)的依賴。

高功率密度:

SiC模塊的高效能特點使得其能夠處理更高的功率,從而允許設計更小、更緊湊的充電設備,這對便攜式設備尤為重要。

wKgaomZej7-AdNxRAABhZvGJHew040.pngMPRA1C65-S61碳化硅模塊

設計注意事項

盡管SiC模塊具有高溫操作能力,但在設計充電設備時,依然需要充分考慮熱管理。使用有效的散熱片和散熱材料,確保模塊在最佳溫度范圍內(nèi)運行,能夠延長設備壽命并提高可靠性。

SiC模塊的高開關速度要求驅動電路必須具備快速響應能力。設計時需要選擇合適的驅動器,并優(yōu)化驅動電路以減少開關損耗和避免振蕩。

電磁干擾(EMI)控制,高速開關可能會引起電磁干擾。在設計中需要加入適當?shù)钠帘魏?a href="http://srfitnesspt.com/tags/濾波器/" target="_blank">濾波器,以確保充電設備在各種環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。

在充電設備設計中,必須考慮過流、過壓和過熱保護電路,以防止意外情況對模塊和整個設備造成損害。

實際應用案例

汽車充電樁

汽車充電器領域采用 SiC 的原因是其各項品質因數(shù) (FOM) 表現(xiàn)出色。SiC 在單位面積的具體 RDS(on)、開關損耗、反向恢復二極管和擊穿電壓方面具備優(yōu)勢。這些優(yōu)勢使得基于 SiC 的方案能夠在更高的溫度下可靠地運行。利用這些出色的性能特點,可以實現(xiàn)更高效、更輕量的設計。

在系統(tǒng)功率整體架構中,電池充當超級電容器,并使DC-X在最佳效率點運行,前級PFC工作在電流源模式下,PFC輸出電流通過DC-X為電池充電,PFC輸出電壓被反射的電池電壓鉗位,PFC輸出和DC/DC輸入之間只需要有限的薄膜電容器。

wKgZomZhKqCAWYfOAADtZzJ8nUg564.png

因此,系統(tǒng)可以實現(xiàn)更高的功率水平(最高可達 22 kW),而這是使用基于硅的傳統(tǒng)方案(如 IGBT 或超結)難以實現(xiàn)的。

對于 400 V 電池組,通常首選 SiC 650 V 器件,MPRA1C65-S61 SiC模塊可以顯著提高電動汽車充電站的效率,減少充電時間。由于其高功率密度和高效能特性,充電站設計可以更加緊湊,降低建設成本。

結論

MPRA1C65-S61 SiC模塊在充電設備設計中具有顯著的優(yōu)勢。通過優(yōu)化熱管理、驅動電路、電磁干擾控制和電路保護設計,可以充分發(fā)揮SiC模塊的性能,提高充電設備的效率和可靠性。無論是電動汽車充電站、便攜式設備還是工業(yè)應用,SiC模塊都能帶來顯著的性能提升,滿足現(xiàn)代充電需求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2691

    瀏覽量

    62288
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2657

    瀏覽量

    48712
  • 充電設備
    +關注

    關注

    1

    文章

    34

    瀏覽量

    7514
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?415次閱讀

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應用

    MOS碳化硅
    瑞森半導體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅直流充電設備技術研究案例

    圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結構方案,
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:47 ?512次閱讀
    全<b class='flag-5'>碳化硅</b>直流<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>設備</b>技術研究案例

    基于碳化硅技術的汽車充電方案布局加速!廣汽等4家企業(yè)采用

    2024年以來,包括廣汽集團等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現(xiàn)大規(guī)模應用
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:53 ?3172次閱讀
    基于<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術的汽車<b class='flag-5'>充電</b>方案布局加速!廣汽等4家企業(yè)采用

    全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽

      在全球范圍內(nèi),有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業(yè)。
    的頭像 發(fā)表于 01-25 14:01 ?1036次閱讀
    全球IGBT/<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>生產(chǎn)廠商概覽

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?736次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝<b class='flag-5'>模塊</b>簡介

    碳化硅逆變器是什么 功能介紹

    碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導體材料的功率電子設備,主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如更高的開關頻率、更低的導通損耗、
    的頭像 發(fā)表于 01-10 13:55 ?1372次閱讀

    碳化硅器件封裝與模塊化的關鍵技術

    碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關鍵步驟。
    發(fā)表于 01-09 10:18 ?383次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件封裝與<b class='flag-5'>模塊</b>化的關鍵技術

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2627次閱讀

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1594次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應用

    碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:49 ?1557次閱讀

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1515次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件介紹與仿真

    碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

    中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅
    發(fā)表于 10-27 12:45 ?4264次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的生產(chǎn)流程,<b class='flag-5'>碳化硅</b>有哪些優(yōu)劣勢?