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采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展
1200V的62mm CoolSiC MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù),模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口方面性能得到了改善?,F(xiàn)可提供2.9mΩ 1200V新規(guī)格,帶或不帶熱界面材料(TIM)。
相關(guān)產(chǎn)品:
FF3MR12KM1H 2.9mΩ,
1200V 62mm半橋模塊
FF3MR12KM1HP 2.9mΩ,
1200V 62mm半橋模塊 預(yù)涂TIM
產(chǎn)品特點(diǎn)
集成體二極管,優(yōu)化了熱阻
卓越的柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強(qiáng)
應(yīng)用價(jià)值
按照應(yīng)用苛刻條件優(yōu)化
更低的電壓過(guò)沖
導(dǎo)通損耗最小
高速開關(guān),損耗極低
對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱的上下橋臂開關(guān)行為
標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)確??煽啃?/p>
62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線的生產(chǎn)
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
通過(guò)碳化硅擴(kuò)展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品,以滿足快速開關(guān)要求和低損耗的應(yīng)用。
電流密度最高,防潮性能強(qiáng)
應(yīng)用領(lǐng)域
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
光伏逆變器
UPS
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