AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲(chǔ)巨頭如三星和鎧俠,在深耕DRAM市場(chǎng)的同時(shí),也持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
三星V-NAND技術(shù)再創(chuàng)新高
今年4月,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,并預(yù)告下半年將推出四層單元(QLC)版本的第九代V-NAND。相較于前代產(chǎn)品,新一代V-NAND實(shí)現(xiàn)了約50%的位密度提升,并成功降低了10%的功耗。尤為引人注目的是,三星在第九代V-NAND的“金屬布線”環(huán)節(jié)首次采用了鉬(Mo)材料,這一創(chuàng)新旨在突破現(xiàn)有材料的物理極限,進(jìn)一步縮減層高、降低響應(yīng)時(shí)間,從而顯著提升性能。為實(shí)現(xiàn)這一技術(shù)突破,三星已引進(jìn)多臺(tái)Mo沉積機(jī),并與多家供應(yīng)商緊密合作,共同推進(jìn)鉬材料在NAND生產(chǎn)中的應(yīng)用。
鎧俠引領(lǐng)QLC閃存新紀(jì)元
與此同時(shí),鎧俠也宣布了其在NAND閃存領(lǐng)域的重大進(jìn)展。該公司已開(kāi)始提供基于第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的2Tb BiCS8 FLASH QLC閃存樣品,該樣品以其超大容量在業(yè)內(nèi)獨(dú)樹(shù)一幟,預(yù)示著QLC閃存將在AI、大數(shù)據(jù)等多個(gè)領(lǐng)域迎來(lái)廣泛應(yīng)用。鎧俠通過(guò)專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu),不僅提高了存儲(chǔ)芯片的垂直與橫向擴(kuò)展能力,還采用了CBA技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更高的設(shè)備密度和更快的接口速度。其新推出的QLC閃存產(chǎn)品不僅位密度大幅提升,寫(xiě)入能效比也顯著優(yōu)化,且具備更小的封裝尺寸,為數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景提供了更高效的存儲(chǔ)解決方案。
QLC SSD在AI領(lǐng)域的潛力無(wú)限
隨著AI技術(shù)的普及和數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)需求的激增,QLC NAND尤其是QLC SSD正逐漸成為AI、大數(shù)據(jù)領(lǐng)域的寵兒。相較于傳統(tǒng)MLC和TLC設(shè)備,QLC NAND能夠存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),顯著提升存儲(chǔ)性能。而QLC SSD在AI應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)則主要體現(xiàn)在其高速讀取能力和低TCO成本上。對(duì)于以讀取為主的AI推理服務(wù)器而言,QLC SSD不僅能夠提供更快的讀取速度,還能通過(guò)大容量設(shè)計(jì)減少所需空間,降低總體擁有成本。因此,QLC SSD正成為AI客戶尋求的理想存儲(chǔ)解決方案之一。
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè),受AI需求推動(dòng),2024年全球QLC Enterprise SSD出貨位元有望大幅增長(zhǎng)至30EB,是2023年的四倍之多。這一預(yù)測(cè)進(jìn)一步證明了QLC SSD在AI領(lǐng)域的廣闊前景和巨大潛力。
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