主板CPU和GPU供電部分的組成一般由電容、電感和MOSFET三部分構成,一般來說,主板上的1個電感+2個電容+4個MOS管為1相供電,當然也有六相供電、八相供電。
這些供電相數(shù)不僅關系到主板的穩(wěn)定性和耐用性,還直接影響到CPU和GPU的性能表現(xiàn)。多相供電設計能夠更有效地分散電流負載,減少每一相供電的工作壓力,從而降低熱量產(chǎn)生,提高供電效率。
MOSFET是供電電路中的開關元件,它負責控制電流的通斷。在主板供電系統(tǒng)中,MOSFET的數(shù)量和質(zhì)量直接影響著供電的效率和穩(wěn)定性。足夠的MOSFET數(shù)量能夠確保電流的穩(wěn)定供應,而高質(zhì)量的MOSFET則能夠減少能量損耗,提高供電效率。
整體一個過程由PWM產(chǎn)生各相的信號,各相的MOSFET Driver控制各相上橋和下橋MOSFET的開關,各相電感與輸出濾波電容儲能,輸出濾波電容再為CPU供電。
MOSFET為受到柵極電壓控制的開關,對這一相的輸出電感進行充電和放電,就在輸出端得到一個穩(wěn)定的電壓,每相電路都要有上橋和下橋,所以每相至少有兩顆MOSFET,而上橋和下橋都可以用并聯(lián)兩三顆代替一顆來提高導通能力,因而每相還可能看到總數(shù)為三顆、四顆甚至五顆的MOSFET。
在主板的DC-DC轉換電路中,MOS管是功耗很大的一個元件,同時溫度時的高溫也使得它在超頻時極易燒毀,因此低Qg,低內(nèi)阻,低開關損耗是相當重要的參數(shù)。
在主板供電設計的選擇上,多相供電不僅意味著更高的穩(wěn)定性和效率,也是超頻愛好者們的首選。這是因為多相供電設計在處理大電流時,能更好地將負載分散到多個相位上,從而減少了單個相位的工作壓力,降低了因電流過大而產(chǎn)生的熱量,提升了主板的散熱性能。
對于MOSFET的選擇,其性能參數(shù)如Qg(柵極電荷)、內(nèi)阻和開關損耗等,都直接影響到供電效率和穩(wěn)定性。低Qg意味著MOSFET的開關速度更快,響應更迅速;低內(nèi)阻則能減少電流通過時的能量損失;低開關損耗則意味著在開關過程中產(chǎn)生的熱量更少,有助于保持主板的低溫運行。
buck
bost
KSN50N03X、KSN3076X、KSN70N03X、KSN3088X
KSN3072Q、KSN60N03Q、KSN100N03Q、KSN7446Q
以上型號均可用在DC-DC拓撲結構中。
審核編輯 黃宇
-
MOSFET
+關注
關注
142文章
7008瀏覽量
212270 -
主板
+關注
關注
53文章
1811瀏覽量
70241 -
DC-DC變換
+關注
關注
0文章
4瀏覽量
2407
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論