玻璃基電路板的蝕刻和側(cè)蝕技術(shù)

在對顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過一定配比混酸等蝕刻液對液晶面板和玻璃基板等（二氧化硅）玻璃材質(zhì)基板進行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專門介紹對玻璃基材的蝕刻，但相關(guān)蝕刻和側(cè)蝕原理有一定的共性，故此摘錄該文僅供大家參考。
１．蝕刻的定義
蝕刻就是用化學(xué)方法按一定的深度除去不需要的金屬。蝕刻技術(shù)被廣泛用在裝飾、電路板、精密加工和電子零件加工等領(lǐng)域，近幾年我國用蝕刻方法加工的金屬畫、工藝品和縷空藝術(shù)品。
２．蝕刻技術(shù)的一般過程
（１）蝕刻技術(shù)的分類
A．化學(xué)蝕刻
B．電解蝕刻
（２）化學(xué)蝕刻的一般工藝流程
預(yù)蝕刻→蝕刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蝕膜→水洗→干燥
（３）電解蝕刻的一般工藝流程
入櫓→開啟電源→蝕刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蝕膜→水洗→干燥
３．化學(xué)蝕刻的幾種形式對比及應(yīng)用
（１）靜蝕刻，即將被蝕刻的板或零件浸入蝕刻液，待蝕刻一定深度后取出，水洗，然后進入下道工序。該方法只適用于少量的試驗品或試驗室使用。
（２）動蝕刻
A ．鼓泡式（也稱吹氣式），即把容器內(nèi)的蝕刻液用空氣攪拌鼓泡（吹氣）的方法進行蝕刻。
B ．潑濺式，在一個容器內(nèi)用潑濺的方法把蝕刻液潑在被蝕刻物體表面進行蝕刻的方法。
C ．噴淋式，用一定壓力將蝕刻液噴淋在被蝕刻物體的表面進行蝕刻的一種方法。該方法較為普遍，且蝕刻速度和質(zhì)量較為理想。
４．側(cè)蝕及側(cè)蝕系數(shù)
（１）側(cè)蝕的形成過程
蝕刻開始時，金屬板表面被圖形所保護，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行，如圖1。當(dāng)金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時蝕刻液除向垂直方向還向兩側(cè)進行蝕刻，如圖2。隨著蝕刻深度的增加，兩側(cè)金屬面的蝕刻的面積也在加大。開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度也大，形成嚴重側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微，如圖3。圖4是最后的蝕刻結(jié)果。
（２）側(cè)蝕對產(chǎn)品質(zhì)量的影響
側(cè)蝕能使凸面的圖形（泛指陽圖）線條或網(wǎng)點變細變小，反之使凹圖的線條或網(wǎng)點變粗變大，使圖形變形或尺寸超差，嚴重時使產(chǎn)品報廢，是蝕刻中的大敵。
（３）減小側(cè)蝕的方法
蝕刻過程中產(chǎn)生側(cè)蝕是不可避免的，所以如何將側(cè)蝕降至最小值成為各生產(chǎn)廠家的首要目標，其方法主要有以下幾種：
A．選擇高效率的蝕刻液，最好能使蝕刻液連續(xù)使用、再生，永遠處于最佳的活躍狀態(tài)。
B ．制定或控制好適于自身產(chǎn)品的蝕刻液的溫度。
C．選擇理想的蝕刻方法，如噴淋式較好，其它方式較差，靜止蝕刻側(cè)蝕最大。使用噴淋蝕刻時，上噴和下噴差別較大，應(yīng)選擇下噴，如圖5 所示。這是因為，如果選擇上噴，即噴頭向下，蝕刻應(yīng)噴至板面，蝕刻液停留時間較長，在垂直蝕刻的同時向兩側(cè)蝕刻。而下噴當(dāng)蝕刻液噴向板面時即刻落下，溶液交換的速度快，永遠有新溶液噴向板面，減少了側(cè)蝕的機會，側(cè)蝕較小。
D ．嚴格控制蝕刻時間。方法是先做首件，選擇出最佳的蝕刻時間，一旦達到理想深度即刻取出用水沖洗（若有局部蝕刻不掉，取出清洗后做局部處理）。以后的產(chǎn)品
按此蝕刻時間。
E ．適量加入高分子成膜物質(zhì)作保護劑，這種物質(zhì)要能溶解于水，與金屬要有特定的親和力，蝕刻時可以粘附于金屬的側(cè)壁上。
５．圖形補償?shù)姆椒?br /> （１）先計算出有關(guān)金屬的蝕刻系數(shù)（按規(guī)定的工藝條件），見圖6 側(cè)蝕示意圖。
式中：
A ．原掩膜寬度
B ．蝕刻后的寬度
I．蝕刻后造成的缺口寬度
d．為蝕刻深度
（２）計算公式：
蝕刻系數(shù)＝d／I
其中蝕刻系數(shù)越大側(cè)蝕越小。以靜蝕刻為例，其蝕刻系數(shù)為2 ～4 ，也就是說我們平時的蝕刻系數(shù)要遠遠超過它才行。
（３）補償方法。
在設(shè)計光繪底片前，根據(jù)新測得的蝕刻系數(shù)將蝕刻深度的數(shù)值代入式中，計算出側(cè)蝕刻量從而對照底的數(shù)值加以修正，以補償因側(cè)蝕引起的線條及網(wǎng)點失真。

審核編輯 黃宇