據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用,預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果,屆時(shí),iPhone手機(jī)內(nèi)部的儲存空間將有望突破2TB的界限。
QLC NAND簡稱“四層單元”,這是一種極具前瞻性的閃存技術(shù),其獨(dú)特之處在于每一個(gè)存儲單元都能容納多達(dá)4位的數(shù)據(jù)信息。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND(三層單元),QLC NAND的存儲密度得到了顯著提升,高達(dá)33%之多。
雖然QLC NAND在面對大量寫入操作時(shí)可能會(huì)面臨挑戰(zhàn),但其極高的存儲密度使其成為了大容量存儲應(yīng)用的首選方案。蘋果公司計(jì)劃借助此項(xiàng)技術(shù),進(jìn)一步增強(qiáng)iPhone的存儲性能,以應(yīng)對日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)集邦咨詢的預(yù)測,蘋果正全力推動(dòng)QLC NAND技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)程,其目標(biāo)是將iPhone的內(nèi)置存儲空間提升至2TB的驚人水平。
此外,蘋果公司也在深入探討如何運(yùn)用NAND閃存技術(shù)來存儲大型語言模型(LLMs),從而實(shí)現(xiàn)在本地運(yùn)行更多的人工智能任務(wù)。向QLC NAND閃存的轉(zhuǎn)型或許將有助于提升Apple Intelligence的整體表現(xiàn),讓其能夠更加高效地處理各種復(fù)雜的人工智能計(jì)算任務(wù)。
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