泛林集團(tuán)推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0，助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)（Lam Research）再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，正式推出其經(jīng)過嚴(yán)格生產(chǎn)驗證的第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。這一里程碑式的技術(shù)突破，不僅鞏固了泛林集團(tuán)在3D NAND閃存蝕刻領(lǐng)域的霸主地位，更為全球存儲技術(shù)的未來發(fā)展鋪設(shè)了堅實的基石。

Lam Cryo 3.0作為泛林集團(tuán)深厚技術(shù)積累的結(jié)晶，是對其高深寬比蝕刻解決方案（如Flex和Vantex系列）的一次重大升級。該技術(shù)集成了最先進(jìn)的硬件設(shè)計與智能軟件算法，實現(xiàn)了前所未有的介電蝕刻精度與穩(wěn)定性，確保了蝕刻過程的均勻性、可重復(fù)性以及極低的缺陷率。這些特性對于構(gòu)建復(fù)雜而精密的3D NAND結(jié)構(gòu)至關(guān)重要，尤其是在面對未來1000層乃至更高層數(shù)的技術(shù)挑戰(zhàn)時，其重要性更是不言而喻。

針對1000層3D NAND所帶來的極端蝕刻要求，Lam Cryo 3.0進(jìn)行了深度優(yōu)化，能夠有效應(yīng)對因?qū)訑?shù)激增而帶來的熱管理難題、蝕刻深度控制挑戰(zhàn)及表面形貌控制復(fù)雜性等。這一技術(shù)突破不僅提升了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，更為3D NAND閃存向更高容量、更低功耗的進(jìn)化路徑掃清了技術(shù)障礙。

隨著Lam Cryo 3.0的推出，泛林集團(tuán)正攜手全球存儲產(chǎn)業(yè)伙伴，共同開啟3D NAND閃存技術(shù)的新篇章，推動數(shù)據(jù)存儲技術(shù)邁向更加輝煌的千層時代。