概述:
功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。
這項創(chuàng)新技術(shù)在消費電子、電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制器、射頻應(yīng)用、交通出行技術(shù)和汽車電子等廣泛應(yīng)用中占據(jù)核心地位。
特性
- N溝道-增強模式
- 通過汽車AEC Q101認證
- MSL1峰值回流溫度高達260°C
- 175°C工作溫度
- 環(huán)保產(chǎn)品(符合RoHS規(guī)范)
- 100%通過雪崩測試
優(yōu)勢:
- 蕞高電流能力180A
- 低開關(guān)功耗和傳導功率損耗,造就極高的熱效率
-穩(wěn)固的封裝,出色的品質(zhì),高可靠性
- 優(yōu)化極柵電荷總量,實現(xiàn)更小的驅(qū)動器輸出級
應(yīng)用
- 48V逆變器
- 48V DC/DC
- HID照明
審核編輯 黃宇
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場效應(yīng)晶體管
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功率晶體管
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