源于振蕩器結(jié)構(gòu)的相位噪音特性的解說
【序文】
高速數(shù)據(jù)通信中處理的信號按照通信協(xié)議需要具備誤碼率等信號品質(zhì)性能。誤碼率(以下簡稱為“BER”)是指進行收發(fā)信之際,收信方接收數(shù)據(jù)中的誤碼數(shù)除以發(fā)出的數(shù)據(jù)總字節(jié)數(shù)得出的錯誤率。因此,系統(tǒng)設(shè)計人員需要通過專用集成電路的設(shè)計、基板布局的設(shè)計以及變更部品等防止信號品質(zhì)下降。為了使信號保持高品質(zhì),基準信號源自身所具有的噪音及抖動性能是重要的參數(shù)。為此,我們在上次的技術(shù)說明中介紹了基于通信設(shè)備所需的信號品質(zhì)而要求振蕩器具備的關(guān)鍵規(guī)格,并介紹了根據(jù)市場中銷售的振蕩器結(jié)構(gòu)及特征而適用于通信設(shè)備的愛普生產(chǎn)品。本次將詳細解說市場中銷售的振蕩器因結(jié)構(gòu)差異而產(chǎn)生的不同相位噪音特性。
【市場中銷售的振蕩器(基準信號源)的結(jié)構(gòu)與特征】
圖 1 表示市場中銷售的振蕩器的結(jié)構(gòu)(類型),表 1 表示其特征。
表 1:振蕩器的結(jié)構(gòu)與特征
如特征欄所示,振蕩器的結(jié)構(gòu)不同造成其特性各有差異。本次從極大影響通信系統(tǒng)信號品質(zhì)的噪音和抖動的角度,詳細說明基波振蕩器、鎖相環(huán)振蕩器以及介質(zhì)等壓控振蕩器的相位噪音特征與傾向。
【相位噪音斜率的特征】
相位噪音呈現(xiàn)圖 2 所示的斜率特征。該斜率分為五大類,分別具有以下特征,在此簡單說明。
1)隨機游動頻率調(diào)制(RWFM:Random Walk Frequency Modulation)噪音的斜率與偏移頻率的 4 次方呈反比,主要表示波源頻率變動(相位變化轉(zhuǎn)換為頻率變化)的影響。
2)閃爍頻率調(diào)制(FFM:Flicker Frequency Modulation)白噪音的斜率與偏移頻率的 3 次方呈反比,主要表示來自波源的閃爍噪音的影響。
3)白頻率調(diào)制(WFM:White Frequency Modulation)噪音的斜率與偏移頻率的 2 次方呈反比,主要表示電路側(cè) Q 值的影響。
4)閃爍相位(FPM:Flicker Phase Modulation)噪音的斜率與偏移頻率呈反比,與閃爍噪音同樣表示來自發(fā)出振蕩側(cè)(電路側(cè))的噪音影響。
5)白相位調(diào)制((WPM:White Phase Modulation)噪音的斜率保持一定且與偏移頻率無關(guān),主要表示來自電路的噪音部品的熱噪音類)和振蕩信號的 S/N 比的影響。
如上所述,相位噪音特性的斜率可分為兩大類:RWFM 和 FFM 噪音受波源影響;WFM、FPM 和 WPM 噪音受電路影響。
【根據(jù)相位噪音特性計算相位抖動的方法】
在以前發(fā)表的技術(shù)說明《抖動與相位噪音》中亦曾介紹過,相位抖動可通過相位噪音特性的特定偏移頻率范圍的積分求出。通信系統(tǒng)性能取決于通信環(huán)路帶寬中的相位抖動量,現(xiàn)在已把許多通信系統(tǒng)通信環(huán)路帶寬中的 12k-20MHz 的相位抖動量(SONET/SDH 的標準)作為相位抖動的重要指標之一。
圖 3 表示相位噪音特性與相位抖動的關(guān)系。
總體抖動 TJ(Total Jitter)用確定性抖動 DJ(Deterministic Jitter)與隨機抖動 RJ(Random Jitter)之和來表示。具有類似圖 3 所示的相位噪音特性的系統(tǒng)中,相位抖動總量相當于通信環(huán)路帶寬中的 12k-20MHz 部分(圖 3 中灰蘭色部分)的積分值(RJ)與失真的積分值(DJ)的總和。
圖 3:相位噪音與相位抖動的關(guān)系
【因振蕩器結(jié)構(gòu)而造成的不同相位噪音特性】
為了有助于理解因振蕩器結(jié)構(gòu)而造成的相位噪音特性差異,在此將以圖 1 中介紹的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),說明三種振蕩器的相位噪音特性傾向,這三種振蕩器分別是以石英晶體單元為波源的基波振蕩器、以硅諧振器為波源使用鎖相環(huán)電路的 Si-MEMS 振蕩器及以 LC諧振單元為波源的介質(zhì)等壓控振蕩器。圖 4 表示作為波源的石英、硅諧振器和 LC 諧振單元各自所具有的相位噪音特性。首先載波周圍低頻側(cè)的曲線斜率不同的主要原因在于波源的 Q 值。特別是 Q 值高的石英在偏離頻率為約 100kHz 為止的范圍內(nèi)具有相位噪音低的特性;而 LC 諧振單元的 Q 值極低,只有幾十左右,在載波周圍低頻側(cè)的相位噪音特性呈惡化傾向。與此相對照,斜率的高頻側(cè)與波源無關(guān),主要受電路所產(chǎn)生的噪音等的影響。因此,如果信號成分大于噪音成分,本底噪音則顯示出更低的傾向。尤其突出的是,LC 諧振單元的輸出振幅越大信號強度越強,所以在高頻側(cè)具有相位噪音變小的特點。與此相比,硅諧振器所受功率有限而導(dǎo)致輸出振幅小、信號強度弱,因此在高頻側(cè)與石英和 LC 諧振單元相比較為不利。當然,也可以采用增大電流的方法提高信號強度并降低本底噪音,以此減少高頻側(cè)的相位噪音。這種情況下,需要在相位噪音的改良與維持低耗電量之間做出權(quán)衡。
圖 4:波源所具有的相位噪音示意圖
(右上方的振蕩器程序塊中用綠色、紅色和藍色圓圈圍起部分的相位噪音特性示意)
以上,我們說明了有關(guān)波源的相位噪音特性。就其中的硅諧振器而言,硅晶體本身所具有的溫度特性的變化量大,構(gòu)成振蕩器時必須對其溫度依存性進行補償以確保穩(wěn)定性。為此,經(jīng)常使用鎖相環(huán)電路作為補償電路。在此,用圖 5 說明以硅諧振器為波源經(jīng)過鎖相環(huán)電路后的相位噪音特性。
圖 5:鎖相環(huán)電路的相位噪音特性示意(左)與因振蕩器結(jié)構(gòu)而引起的相位噪音特性傾向(右)
如圖 5 左所示,使用鎖相環(huán)電路振蕩器的相位噪音曲線的一部分將變大。鎖相環(huán)電路原理是鎖定壓控振蕩器(以下稱為“VCO”)發(fā)出的波源后輸出倍頻,因此使用鎖相環(huán)電路的相位噪音特性受 VCO 和鎖相環(huán)電路的兩項因素的影響。通常,以 VCO 為波源的相位噪音特性比石英波源差,并將顯示在鎖相環(huán)電路的高頻領(lǐng)域,所以出現(xiàn)上述特性。而且,頻率倍增數(shù)也將改變低頻的相位噪音水平,所以倍數(shù)越大相位噪音特性越差,因鎖相環(huán)電路和倍增而產(chǎn)生的失真亦將導(dǎo)致相位噪音特性的惡化。同時,高頻側(cè)的特性取決于電路的輸出振幅,與波源無關(guān)均將保持一定。
最后,用圖 5 右匯總以石英晶體單元為波源的基波振蕩器、以硅諧振器為波源使用鎖相環(huán)電路的 Si-MEMS 振蕩器及以 LC 諧振單元為波源的介質(zhì)等壓控振蕩器所輸出的相位噪音特性傾向。
【從相位噪音特性得出的高速通信系統(tǒng)所需振蕩器結(jié)構(gòu)】
以上篇幅中說明了相位噪音特性隨振蕩器結(jié)構(gòu)不同而變化。設(shè)計人員進行系統(tǒng)設(shè)計之際,在決定所使用的電子部件、基板布局和設(shè)計專用集成電路時,應(yīng)先決定是側(cè)重于載波周圍低頻側(cè)的噪音特性(圖 6 左),還是側(cè)重于 SONET/SDH 所示的通信環(huán)路帶寬中的 12k-20MHz 的相位抖動量(圖 6 右)。由于 Si-MEMS 振蕩器具有的鎖相環(huán)電路致使相位噪音曲線的一部分變大以及產(chǎn)生失真的問題,而介質(zhì)等壓控振蕩器有頻率不穩(wěn)定的問題,因此我們認為在高速通信系統(tǒng)的設(shè)計中不應(yīng)當使用這些風險較大的產(chǎn)品。以石英晶體單元為波源的基波振蕩器具有低相位抖動特性且頻率穩(wěn)定,更適于在通信系統(tǒng)中使用。
圖 6:載波周圍低頻側(cè)特性(左)與高頻側(cè)(右)本底噪音特性的比較
愛普生的振蕩器產(chǎn)品以石英晶體單元為波源,在載波周圍低頻至本底噪音高頻的范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的相位噪音特性,以基波起振的電路組成也相對簡單,能夠把耗電量控制在較小程度。在通信速度不斷提高的通信系統(tǒng)中,我們相信,以石英晶體單元為波源的基波振蕩器將成為通信系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵部件。愛普生今后亦將不斷開發(fā)擁有顧客所追求的性能的產(chǎn)品,滿足顧客需求。
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