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業(yè)內(nèi)超高性價比CAN BUS通訊接口靜電防護(hù)器件SENC23T24V2BC

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-21 15:36 ? 次閱讀

業(yè)內(nèi)超高性價比CAN BUS通訊接口靜電防護(hù)器件SENC23T24V2BC

CAN接口在工業(yè)自動化領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛,為了防止靜電放電事件對端口的損害,業(yè)內(nèi)常使用PESD2CAN/NUP2105LT1G等器件作為CAN BUS搭配做靜電防護(hù)。基于該方案的廣泛應(yīng)用,湖南靜芯推出業(yè)內(nèi)最高性價比CAN BUS通訊接口靜電防護(hù)器件SENC23T24V2BC。該器件創(chuàng)新性的提出單顆芯片雙向?qū)ΨQ結(jié)構(gòu),優(yōu)化了器件性能,解決了4芯產(chǎn)品封裝時芯片溢出基島的問題,提升了封裝的靈活性和可靠性,同時大大降低了成本?;谠摻Y(jié)構(gòu)靜芯還推出了業(yè)內(nèi)最大功率SENC23T24V2BD靜電防護(hù)器件,可達(dá)680W,和業(yè)內(nèi)競品相比,通流能力顯著提升,鉗位電壓顯著下降,能為CAN BUS芯片提供更好的靜電和浪涌防護(hù)。SENC23T24V2BC研發(fā)成功至今累計出貨已經(jīng)超過6000萬顆。

SENC23T24V2BC技術(shù)特點

傳統(tǒng)CANBUS用SOT2324V兩路雙向ESD防護(hù)器件,需要做四顆24V單向ESD防護(hù)器件,這樣做時需要4顆芯片做4次固晶工藝,同時由于SOT23封裝基島面積有限,達(dá)到450W功率前提下,中間芯片會溢出基島,造成芯片懸空帶來可靠性風(fēng)險,目前絕大部分CAN接口ESD防護(hù)產(chǎn)品都使用4芯高溫共晶方式固晶,高溫共晶要求芯片背面金屬為TiNiAu,芯片成本較高,造成器件總成本一直無法降低?;谏鲜龅那闆r,靜芯研發(fā)團(tuán)隊創(chuàng)新性的推出單芯片雙向非對稱器件結(jié)構(gòu),通過器件結(jié)構(gòu)與工藝的配合實現(xiàn)了單芯片雙面24V,使得在封裝時可以以兩顆芯片連劃方式放置在基島中間,且不會溢出基島,提高了封裝的可靠性與靈活性。該芯片可以使用高溫共晶、低溫共晶、導(dǎo)電膠方式實現(xiàn)封裝固晶工藝。同時兩顆芯片與單次上芯大大節(jié)約了器件成本,保證性能的前提下,提高了性價比,同時也可以實現(xiàn)更大泄放功率,為對靜電浪涌防護(hù)要求更高的方案提供了選擇。

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SENC23T24V2BC產(chǎn)品簡介

SENC23T24V2BC是一款SOT-23封裝可應(yīng)用到CAN接口超高速差分線上的ESD防護(hù)器件。器件內(nèi)部集成了兩路對稱電壓24V的ESD防護(hù)器件,本身寄生電容僅為18pf。SENC23T24V2BC的IPP(峰值脈沖電流)為8A,鉗位電壓為42V。超低的鉗位電壓可為主芯片提供極優(yōu)的靜電保護(hù)效果。符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

應(yīng)用方案

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SIT1051AT是常用于CAN通信的差分線驅(qū)動器/接收器芯片。它通常用于將單端信號轉(zhuǎn)換為差分信號,以便在長距離或高噪聲環(huán)境中進(jìn)行傳輸,同時也能接收差分信號并轉(zhuǎn)換為單端信號。當(dāng)兩芯片進(jìn)行差分信號的發(fā)送和接收時,將ESD防護(hù)器件SENC23T24V2BC并聯(lián)于差分信號線之間,增強電路的可靠性和抗干擾能力。使用SIT1051AT與SENC23T24V2BC的組合方案,可以實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最優(yōu)性價比通訊與靜電防護(hù)方案。

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湖南靜芯同時推薦SENC23T24V2BD作為CAN總線的防護(hù)器件。SENC23T24V2BC和SENC23T24V2BD是兩款用于防止靜電放電、過壓等瞬態(tài)事件ESD防護(hù)器件,兩款器件電氣特性相似,其中SENC23T24V2BD防護(hù)性能更優(yōu)異,峰值功率(Ppk 680W)和峰值電流(IPP 16A)更高,客戶可根據(jù)接口實際性能進(jìn)行選取。

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM 24.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 26 28 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=24V 100 nA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 31.0 V
IPP=8A; tp=8/20us 42.0
Junction capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 18 pF

總結(jié)與結(jié)論

SENC23T24V2BC(車規(guī)級ASENC23T24V2BC)產(chǎn)品可以Pin to Pin替代業(yè)內(nèi)常見PESD24VL2BT、SM24C、PESD2CAN、PESD2CANFD24V-T、NUP2105LT1G、PESD1CAN、SDT23C24L02、PESD2IVN24-TR、PESD2IVN24-TR、CDSOT23-T24CAN-Q、ESD2CAN24、LR2105LT1G、SM24CANA-02HTG、SM24CANB-02HTG、PESD2CANFD24L-TR、LBT23C24L02、ESD2CAN24T2Q、SZNUP2105LT1G、ESDCAN01-2BLY、LR1CANLT1G、PESD2CANFD24V-TR、S23T24C等產(chǎn)品,擁有更高性價比,歡迎大家聯(lián)系我司代理申請樣品。

湖南靜芯專注于打造高性價比的靜電放電(ESD)防護(hù)芯片,憑借其在晶圓工藝領(lǐng)域的定制化創(chuàng)新、精密器件研發(fā)能力,以及與封裝廠商建立的緊密合作機制,采用獨特設(shè)計策略,并持續(xù)優(yōu)化供應(yīng)鏈體系,成功推出了具有卓越性價比的ESD防護(hù)解決方案。這些產(chǎn)品不僅展現(xiàn)了出色的成本控制優(yōu)勢,更在ESD保護(hù)效能上達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平,深受市場歡迎,廣泛應(yīng)用于各類電子終端產(chǎn)品之中,有效保障了設(shè)備的穩(wěn)定運行與數(shù)據(jù)安全。

審核編輯 黃宇

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