【序文】
為了獲得穩(wěn)定的振蕩,通常情況下石英晶體單元與振蕩電路的匹配十分重要。若電路結(jié)構(gòu)與晶體單元的匹配中存在問題,就會產(chǎn)生頻率不夠穩(wěn)定、停止起振或振蕩不穩(wěn)定等問題。石英晶體單元與微機(jī)一起使用時(shí)需要評估振蕩電路。確認(rèn)該石英晶體單元與振蕩電路的匹配之際,至少要對振蕩頻率(頻率匹配)、振蕩裕度(負(fù)阻抗)和激勵功率的三項(xiàng)進(jìn)行評估。我們在上篇中已經(jīng)說明了有關(guān)頻率匹配的內(nèi)容,這次將解說振蕩裕度(負(fù)阻抗)和激勵功率的評估方法。
【1】 振蕩裕度(負(fù)阻抗)的評估
在石英晶體單元的 HOT 端子插入阻抗后檢測是否起振(測試負(fù)阻抗 RN),是評估振蕩電路的負(fù)阻抗特性與振蕩裕度的簡單方法。振蕩電路的能力可以通過改變插入的阻抗值(損失的大小)進(jìn)行測試。
圖 1 是測試負(fù)阻抗的電路圖。負(fù)阻抗的絕對值等于所插入的阻抗值 r 和石英晶體單元連接負(fù)載時(shí)的等效阻抗(Re)之和。算式(1).
石英晶體單元連接負(fù)載時(shí)的等效阻抗(Re)用以下算式(2)求出。
R1是石英晶體單元無負(fù)載電容時(shí)的等效串聯(lián)阻抗。
使用在上次《振蕩電路評估方法(1)》中所介紹的石英晶體單元常數(shù)(R1=33.7Ω、C0=1.11pF、CL=7.8pF),代入上述算式(2)后可算出等效阻抗(Re)為 44Ω。
這時(shí)的 R1是石英晶體單元的實(shí)測值,而不是參數(shù)值。假設(shè) R1的最大值是 57Ω,Re 受負(fù)載電容的影響而
增加到 74?,請注意。
在圖 2 的狀態(tài)下用示波器確認(rèn)波形。逐漸增大插入的阻抗值 r,尋找不起振的阻抗點(diǎn)。這時(shí)忽略因插入阻抗而引起的振蕩輸出下降和振蕩頻率的變化,只單純判定是否起振。
決定負(fù)阻抗 RN之后,計(jì)算振蕩裕度 RN/Re(上述表 1)。
需要注意的是振蕩裕度低將引發(fā)各種不良現(xiàn)象,例如因電路特性不均而造成的振蕩不穩(wěn)定、不起振或起振時(shí)間變長等。
振蕩裕度為 5 倍以上時(shí),意味著振蕩電路具備激勵石英晶體單元的足夠能力(增幅度),通常不會發(fā)生問題。如果振蕩裕度在 5 倍以下,則建議變更振蕩電路的電路常數(shù),或者增大負(fù)阻抗 RN,或者減小石英晶體單元的等效串聯(lián)阻抗 Re,使振蕩裕度保持在 5 倍以上。
雖然降低微調(diào)電容器(Cg、Cd)或限流電阻(Rd)等振蕩電路的電路常數(shù)可使負(fù)阻抗變大,振蕩裕度也將隨之變大,但需要提醒的是,振蕩電路的負(fù)載電容隨著電路常數(shù)的變化而變,這將促使振蕩頻率也出現(xiàn)變化。欲降低石英晶體單元的等效串聯(lián)電阻 R1時(shí),需要向石英晶體生產(chǎn)商提出要求。
【2】 激勵功率的評估
激勵功率指石英晶體單元振蕩時(shí)所消耗的電力。通常,激勵功率最好控制在石英晶體單元的規(guī)格參數(shù)內(nèi),一般在約 100μW 以下,但需注意的是各石英晶體生產(chǎn)商之間略有不同。
激勵功率過大時(shí)將引起振蕩頻率的變動、穩(wěn)定度下降、等效電路參數(shù)變化或頻率失真等現(xiàn)象。激勵功率偏高還可能導(dǎo)致反復(fù)出現(xiàn)異常振蕩、引發(fā)故障的惡果。激勵功率(P)用下列算式(3)求出。
這里的 I 是流過石英晶體單元的電流,Re是石英晶體單元帶負(fù)載時(shí)的等效電阻。如果激勵功率超過了規(guī)格參數(shù),就需要調(diào)整振蕩電路的常數(shù),使流過石英晶體單元的電流變小。降低 Cg 或 Cd 可使激勵功率變小,但振蕩電路的負(fù)載電容也將隨之而變。最簡單的方法是增大 Rd,但損失將隨之增大、負(fù)阻抗將變小。
激勵功率不能直接測定。
把測試針放在與振蕩電路相組合的石英晶體單元 HOT 端子,用示波器測試施加電壓 Vpp,基于實(shí)測值計(jì)算流過石英晶體單元的電流。
圖 3 表示測試激勵功率時(shí)的情景。
把電流探針插在評估用石英晶體單元的端子上后,裝到印制板的石英晶體單元部。通過示波器確認(rèn)振蕩后,根據(jù)波形測出 Vpp。
圖 3:測試激勵功率的情景
例如,假設(shè)從示波器的波形得出 Vpp=0.205V、測試探針的設(shè)定為1mA/div、探針阻抗為 50Ω、示波器的測試量程為 50mV/div 以及石英晶體單元帶負(fù)載時(shí)等效電阻 Re為 45Ω,那么Vpp/50[mV/div]=205/50=4.1div
4.1/(2√2)=1.45div
50[mV/div]/50Ω=1mA/div,
由此得出流過石英晶體單元的電流 I 為 1.45div×1mA/div=1.45mA。
根據(jù)前頁算式(3)計(jì)算得出激勵功率 P 為 1.45×1.45×45=95μW。
【3】結(jié)尾
我們分兩次解說了振蕩電路的評估方法,制作最佳振蕩電路需要對(1)頻率匹配、(2)振蕩裕度(負(fù)阻抗)和(3)激勵功率分別進(jìn)行最佳化。
雖然對上述任意一項(xiàng)均設(shè)定最佳電路常數(shù)的做法最為理想,但實(shí)際工作中也會出現(xiàn)不適合的情況。我們在最后匯總了這時(shí)的應(yīng)對方法。
A???使用評估時(shí)的電路常數(shù)即可。
B???需要重審有關(guān)激勵功率的石英晶體單元規(guī)格參數(shù)。請確認(rèn)本次評估結(jié)果的激勵功率是否影響石英晶
體單元。
C???需要重審有關(guān)負(fù)阻抗的石英晶體單元規(guī)格參數(shù)。請考慮能否變更石英晶體單元等效串聯(lián)阻抗的規(guī)格
參數(shù) R1,使振蕩裕度達(dá)到 5 倍以上。
D???關(guān)于頻率匹配,需要考慮把事先規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容調(diào)整到裝配石英晶體單元的實(shí)際基板的負(fù)載電
容。
E???需要采取組合“B+C+D”的應(yīng)對方法。
F???需要采取組合“B+C”的應(yīng)對方法。
G???需要采取組合“B+D”的應(yīng)對方法。
H???需要采取組合“C+D”的應(yīng)對方法。
謹(jǐn)望上次及本次的信息能成為設(shè)計(jì)高可靠振蕩電路之際的參考。
-
振蕩電路
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
501瀏覽量
98623 -
石英晶體
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
162瀏覽量
38507 -
負(fù)阻抗
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
5766
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論