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900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求

意法半導(dǎo)體PDSA ? 來源:未知 ? 作者:佚名 ? 2017-09-20 17:53 ? 次閱讀

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意法半導(dǎo)體 (ST) 同級領(lǐng)先的900V MOSFET晶體管

提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

中國,2017年3月23日—— 意法半導(dǎo)體最新的900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。

900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON)電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快,在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域,實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電路、主動鉗位設(shè)計等各種反激式轉(zhuǎn)換器具有高能效和可靠性,覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外,低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實現(xiàn)零電壓開關(guān),使半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的電能損耗最小化。

新器件的高安全系數(shù)和優(yōu)異的動態(tài)特性讓設(shè)計人員能夠提高各種產(chǎn)品的性能,例如服務(wù)器電源、三相開關(guān)式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機(jī)、工業(yè)設(shè)備驅(qū)動系統(tǒng)和工廠自動化。

意法半導(dǎo)體MDmesh K5系列超結(jié)晶體管產(chǎn)品種類繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產(chǎn)品。再加上靈活的封裝選擇,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長引腳、IPAK和I2PAK,以及D2PAK和DPAK表面功率封裝,意法半導(dǎo)體為設(shè)計人員提供豐富的超結(jié)超高電壓(VHV)MOSFET產(chǎn)品。

最新的900V MDmesh? K5 MOSFET管即日上市,采用DPAK封裝的STD4N90K5。

如需了解更多詳情,請訪問www.st.com/mdmeshk5

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原文標(biāo)題:【新品】| 意法半導(dǎo)體同級領(lǐng)先的900V MOSFET管,提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

文章出處:【微信號:STM_IPGChina,微信公眾號:意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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