意法半導(dǎo)體 (ST) 同級領(lǐng)先的900V MOSFET晶體管
提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
中國,2017年3月23日—— 意法半導(dǎo)體最新的900VMDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。
900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON)電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快,在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域,實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電路、主動鉗位設(shè)計等各種反激式轉(zhuǎn)換器具有高能效和可靠性,覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外,低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實現(xiàn)零電壓開關(guān),使半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的電能損耗最小化。
新器件的高安全系數(shù)和優(yōu)異的動態(tài)特性讓設(shè)計人員能夠提高各種產(chǎn)品的性能,例如服務(wù)器電源、三相開關(guān)式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機(jī)、工業(yè)設(shè)備驅(qū)動系統(tǒng)和工廠自動化。
意法半導(dǎo)體MDmesh K5系列超結(jié)晶體管產(chǎn)品種類繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產(chǎn)品。再加上靈活的封裝選擇,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長引腳、IPAK和I2PAK,以及D2PAK和DPAK表面功率封裝,意法半導(dǎo)體為設(shè)計人員提供豐富的超結(jié)超高電壓(VHV)MOSFET產(chǎn)品。
最新的900V MDmesh? K5 MOSFET管即日上市,采用DPAK封裝的STD4N90K5。
如需了解更多詳情,請訪問www.st.com/mdmeshk5
趕快行動起來吧 ?。?!
感謝您對本次內(nèi)容的關(guān)注
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標(biāo)題:【新品】| 意法半導(dǎo)體同級領(lǐng)先的900V MOSFET管,提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
文章出處:【微信號:STM_IPGChina,微信公眾號:意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
產(chǎn)品應(yīng)用實例預(yù)覽:為了給大家更詳細(xì)地、更系統(tǒng)地講解高能效電源設(shè)計的實質(zhì)內(nèi)容,我們會在接下來幾講的內(nèi)容中為大家提供了幾種典型的高效電源參考設(shè)計,包括滿足個人電腦電源能
發(fā)表于 12-13 10:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率
發(fā)表于 12-06 14:32
效應(yīng)。超結(jié)MOS管產(chǎn)品主要有以下幾種應(yīng)用:1)電腦、服務(wù)器的電源——更低的功率損耗;2)適配器(筆記本電腦,打印機(jī)等)——更輕、更便捷;3)照明(HID燈,工業(yè)照明,道路照明等)——
發(fā)表于 08-09 17:45
其系統(tǒng)設(shè)計,特別是減小PCB寄生效應(yīng)。超結(jié)MOS管產(chǎn)品主要有以下幾種應(yīng)用:1)電腦、服務(wù)器的電源——更低的功率損耗;2)適配器(筆記本電腦,
發(fā)表于 10-17 16:43
電機(jī)驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場需求,意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例
發(fā)表于 11-20 10:52
朝著更高功率密度、更高能效的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計方向前進(jìn),需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封裝代替有管
發(fā)表于 12-07 10:21
,這些特性便顯得尤為重要。GaN可處理更高頻率和更高能效的電源,與硅組件相比,它可以在尺寸和能耗減半的條件下輸送同等的功率。由此便可以提高功率
發(fā)表于 03-01 09:52
商用4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)展,逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟(jì),為氮化鎵順利進(jìn)入MMIC市場提供了有力支持,從而幫助系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成,滿足新一代5G
發(fā)表于 07-31 07:47
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展,功能密度不斷提高,在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
發(fā)表于 10-28 09:10
碳化硅(SiC) MOSFET、超級結(jié)MOSFET、IGBT和汽車功率模塊(APM)等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案,以專知和經(jīng)驗支持設(shè)計
發(fā)表于 11-23 11:10
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點,使其特別適用于需要
發(fā)表于 09-15 08:19
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點,使其特別適用于需要
發(fā)表于 09-15 06:19
設(shè)計更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器
準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器,廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在
發(fā)表于 04-23 08:55
?20次下載
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
發(fā)表于 09-21 16:31
?6127次閱讀
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
發(fā)表于 03-01 13:14
?8560次閱讀
評論