近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
公開資料顯示,日本礙子成立于1919年5月5日,主要業(yè)務(wù)包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的各種工業(yè)用陶瓷產(chǎn)品、電子及電氣設(shè)備用陶瓷產(chǎn)品、特殊金屬產(chǎn)品、蓄電系統(tǒng)、絕緣子和電力相關(guān)設(shè)備等。除了展示8英寸SiC晶圓以外,日本礙子還將披露“在多種襯底上生長低BPD密度4H-SiC單晶的新方法”。日本礙子表示,減少SiC襯底中的BPD是提高SiC功率器件產(chǎn)量和可靠性的重要手段。公司開發(fā)出了一種工藝,利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。
今年3月,日本礙子表示,通過該工藝,其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時(shí)生長了9個(gè)晶體的實(shí)驗(yàn)。除了碳化硅,日本礙子在氮化鎵(GaN)方面也有布局。早在2012年,日本礙子便在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下,在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件,并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn)。據(jù)介紹,日本礙子的GaN晶片采用其專有的液相晶體生長法生產(chǎn),整個(gè)晶圓表面的BPD密度大幅降低。
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