后摩爾時代專題,泰克張欣與北大集成電路學(xué)院唐克超老師共話鐵電晶體管、存儲計算科研進(jìn)展
人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展對芯片存儲性能和算力提出了更高的需求。傳統(tǒng)的計算架構(gòu)逐漸顯露出局限性,這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代,鐵電晶體管(FeFET)作為一種新型的信息器件,因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。
泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院唐克超課題組聯(lián)合舉辦了一場學(xué)術(shù)交流訪談會,旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管(FeFET)器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中,講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團(tuán)隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成果,并探討了當(dāng)前研究的難點痛點以及未來可能的解決之道。
唐克超老師團(tuán)隊專注于鐵電材料及相關(guān)存儲器件的研究,特別關(guān)注氧化鉿基鐵電材料。他指出氧化鉿基鐵電存儲器由于其高密度集成潛力而受到重視,但耐久性是器件應(yīng)用面臨的一個核心的挑戰(zhàn)。團(tuán)隊的主要目標(biāo)是解決耐久性問題并協(xié)同優(yōu)化器件性能,研究涉及鐵電耐久性原理、耐久性和存儲密度優(yōu)化以及陣列制備和應(yīng)用等方面。
鐵電存儲器的特性和應(yīng)用前景
張欣:您如何看待鐵電材料在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景?
唐老師:目前有三種主流的鐵電器件技術(shù):FeRAM、FeFET和FTJ,各自具有獨特的特性和應(yīng)用前景。在存儲技術(shù)領(lǐng)域,目前FTJ的成熟度相對較低,因此研究和開發(fā)主要集中在FeRAM和FeFET上,這兩種技術(shù)更接近實際應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化。
FeRAM,即基于電容型的鐵電存儲器,其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的DRAM類似?;阝}鈦礦鐵電的FeRAM已有商業(yè)化產(chǎn)品,而氧化鉿基FeRAM也有較好的產(chǎn)業(yè)化前景。它旨在提供非易失性的高速存儲方案,將快速數(shù)據(jù)訪問和低靜態(tài)功耗特性相結(jié)合,契合集成電路對速度和功耗的發(fā)展需求。FeFET,即基于晶體管型的鐵電存儲器,是我們團(tuán)隊的研究重點。這種存儲器以其高集成密度、高速讀寫和低功耗而受到關(guān)注。FeFET的優(yōu)勢在于其三端器件讀寫分離的特點,這使得它可以在數(shù)據(jù)讀取后不需要進(jìn)行重寫,提高器件操作效率,并非常適合存算一體、神經(jīng)形態(tài)計算和硬件安全等新型應(yīng)用。FTJ即基于隧穿結(jié)的鐵電存儲器,目前偏向于前沿研究階段。FTJ面臨的主要挑戰(zhàn)是其較小的讀電流,這限制了器件的讀取速度。盡管如此,F(xiàn)TJ在神經(jīng)形態(tài)計算等低功耗應(yīng)用中顯示出巨大潛力。
鐵電存儲研究中遇到的挑戰(zhàn)
張欣:在FeFET的研究中,您的團(tuán)隊遇到了哪些挑戰(zhàn)?
唐老師:目前來說,F(xiàn)eFET面臨的最大挑戰(zhàn)是耐久性問題,即在反復(fù)編程和擦寫后性能衰減。我們發(fā)現(xiàn),界面電場過高是導(dǎo)致這一問題的主要原因,而這需要系統(tǒng)性的優(yōu)化。盡管FeFET器件在讀寫速度和功耗方面具有顯著優(yōu)勢,但其耐久性問題一直是制約其廣泛應(yīng)用的主要障礙。FeFET耐久性問題的核心原因就是因為它在進(jìn)行寫操作的時候,界面層的電場非常的高,甚至可以超過氧化硅的擊穿電場。所以這就會導(dǎo)致器件在循環(huán)過程中,電場驅(qū)動界面電荷的俘獲與積累,導(dǎo)致新的電荷陷阱產(chǎn)生,同時在一定程度之后還會引起界面層的擊穿,最終導(dǎo)致器件的失效。團(tuán)隊在這一領(lǐng)域取得了突破性成果,通過新型鐵電材料的引入和鐵電-界面協(xié)同優(yōu)化,顯著提升了FeFET器件的耐久性。
張欣:對于鐵電器件,它就是通過局域電場讓鐵電發(fā)生翻轉(zhuǎn)來實現(xiàn)0和1的表征。對于這個問題,豈不是鐵電材料與生俱來的嗎?
唐老師:鐵電材料的極化狀態(tài)通常需要電場的作用才能翻轉(zhuǎn),而在鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)中,這一現(xiàn)象尤為顯著。FeFET的大部分電場實際上并不是直接作用于鐵電層,而是集中在鐵電層與溝道之間的1至2納米的界面上。通過電荷連續(xù)性方程的計算,我們可以發(fā)現(xiàn),該界面處的電場強(qiáng)度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的界面電場。因此在FeFET中,界面處的可靠性問題會被進(jìn)一步放大。要解決這一問題,需要從多個角度進(jìn)行全面的考量,包括鐵電材料本身對電場的響應(yīng),界面結(jié)構(gòu)和缺陷對電場的影響,以及界面層結(jié)構(gòu)本身的穩(wěn)定性等。
測量方法及測量表征建議
張欣:如果要做FeFET測試和表征的話,需要有哪些量測方法?
唐老師:FeFET器件很多不同的角度的測試,包括像轉(zhuǎn)移曲線Id-Vg、讀寫速度、耐久性和保持性的測試,以及還需要在陣列的讀寫功能和串?dāng)_問題等方面的一些測試。
轉(zhuǎn)移曲線(Id-Vg)測試是測量器件在不同柵極電壓下的電流-電壓特性,以評估其開關(guān)特性、閾值電壓和存儲能力。讀寫速度測試,用來評估FeFET在實際工作條件下的響應(yīng)速度。耐久性測試通過反復(fù)進(jìn)行編程和擦寫操作,評估器件的長期穩(wěn)定性和可靠性。保持性測試測量器件在無偏壓條件下保持存儲狀態(tài)的能力。陣列讀寫和串?dāng)_測試,用于評估在集成的陣列中,器件之間的相互影響和串?dāng)_問題。
張欣:在FeFET的電學(xué)表征和測量方面,您有哪些經(jīng)驗和建議?
唐老師:我們需要精確測量FeFET在快速操作下的電流和電荷,這要求測試設(shè)備具備高速度和高精度。我們通常使用AWG、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀和高帶寬示波器來進(jìn)行這些測試。
主要涉及四類產(chǎn)品。第一類是任意波形發(fā)生器(AWG),用于產(chǎn)生各種測試信號,特別是高速脈沖,用于測量極化翻轉(zhuǎn)速度等動力學(xué)特性;第二類是半導(dǎo)體參數(shù)分析儀,如4200A-SCS,用于測量FeFET的基本電學(xué)特性,例如Ig-Vd,并搭載源測量單元(SMU)或脈沖測量單元(PMU)進(jìn)行讀和寫操作,多用于可靠性和保持性的測試;另外,測量非常高速的信號還要用到高帶寬示波器,尤其是當(dāng)需要表征鐵電材料的動態(tài)行為,如亞納秒級別的快速響應(yīng)時;除了這三項關(guān)鍵設(shè)備,在進(jìn)行陣列測試中還需要使用到矩陣開關(guān),以便能夠快速選擇并測試陣列中的單個器件,而不需要手動逐一連接。
總結(jié)來說,F(xiàn)eFET的測試和表征需要一系列精密的設(shè)備和細(xì)致的測試方法,以確保能夠全面評估其電學(xué)性能和可靠性。隨著技術(shù)的發(fā)展和陣列規(guī)模的增大,測試過程的自動化將變得越來越重要。
未來商業(yè)化仍充滿挑戰(zhàn)
張欣:那像鐵電FeFET目前還是在實驗室處于科研的階段。未來商業(yè)化量產(chǎn)可能會在什么樣的時間節(jié)點?
唐老師:預(yù)測FeFET的商業(yè)化時間表存在難度,因為前沿技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的不確定性較高。比較近期最有可能實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的應(yīng)該是嵌入式非易失性存儲器(eNVM),盡管現(xiàn)階段市場相對較小,競爭也比較激烈,但長久來看仍可為高性能存儲和新型計算架構(gòu)提供有力的發(fā)展平臺。這類應(yīng)用比較有希望在5年內(nèi)實現(xiàn)。除此之外,在相對更加主流的存儲器市場,F(xiàn)eFET還比較有希望應(yīng)用于NAND型高密度存儲器。鐵電材料的引入可以在三維NAND Flash基礎(chǔ)上,實現(xiàn)存儲密度和讀寫速度的進(jìn)一步提升。當(dāng)然現(xiàn)階段NAND型的FeFET仍面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn),包括縮小尺寸后的存儲窗口、耐久性、保持性、一致性等,以及陣列中的串?dāng)_問題。對于這一領(lǐng)域,可能需要5到10年的時間實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
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審核編輯 黃宇
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