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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中TCP低功耗產(chǎn)品長(zhǎng)連接狀態(tài)下降低功耗功能的實(shí)現(xiàn)方案

jf_94171069 ? 來源:jf_94171069 ? 作者:jf_94171069 ? 2024-09-29 11:50 ? 次閱讀

01

概述

TCP相關(guān)內(nèi)容參考文章《物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)中TCP通信協(xié)議介紹以及如何實(shí)現(xiàn)》

02

功耗的組成

低功耗技術(shù)就是一系列的降低功耗的技術(shù)。

在了解低功耗技術(shù)之前,我們必須先了解功耗的構(gòu)成。

一個(gè)SOC芯片的功耗由兩部分組成:動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。

動(dòng)態(tài)功耗是設(shè)備運(yùn)行時(shí)或者說信號(hào)改變時(shí)所消耗的功耗;

靜態(tài)功耗是設(shè)備上電但是信號(hào)沒有改變時(shí)所消耗的功耗;

這里要注意的是:在設(shè)備運(yùn)行時(shí),也需要消耗靜態(tài)功耗的,因?yàn)樵O(shè)備運(yùn)行時(shí)也是上電狀態(tài)。功耗分類把靜態(tài)功耗單獨(dú)拿出來,只是為了理論分析方便。

2.1 動(dòng)態(tài)功耗

動(dòng)態(tài)功耗可以分為:

1. 翻轉(zhuǎn)功耗(有的地方稱為開關(guān)功耗,但是筆者認(rèn)為這個(gè)名字不準(zhǔn)確,因?yàn)殚_關(guān)包含的功耗很多,其實(shí)是從英文switching power翻譯過來,從switching可以看到,名稱想表現(xiàn)是動(dòng)作。所以稱為翻轉(zhuǎn)功耗比較準(zhǔn)確)

2. 短路功耗(或者稱為內(nèi)部功耗,英文是internal power)

2.1.1 翻轉(zhuǎn)功耗(switching power)

Switching power 是一個(gè)門電路對(duì)輸出電容進(jìn)行充電和放電需要的功耗。簡(jiǎn)單的說就是一個(gè)門電路輸出從0變到1和從1變到0所需要消耗的功耗。

Switching power 是動(dòng)態(tài)功耗最主要的組成部分。

下面是一個(gè)CMOS非門(反相器)的門電路,輸出接了一個(gè)輸出電容:

wKgZomb4znuADSfLAAAROoJL_4Y911.jpg

清晰一點(diǎn)的符號(hào)圖如下:

wKgaomb4znyAMwifAAAM_O1fJoc070.jpg

每次傳輸?shù)哪芰肯臑椋?/p>

wKgZomb4znyAe_PaAAAFGlrr3nY893.jpg

CL是輸出的電容大??;Vdd是供電電壓。這樣我們可以計(jì)算出傳輸?shù)墓臑椋?/p>

wKgaomb4zn2AaPF1AAAIIKFQTe4159.jpg

f是傳輸?shù)念l率;Ptrans是輸出翻轉(zhuǎn)的概率;fclock是時(shí)鐘頻率。

這里用fclock*Ptrans=f是合理的,因?yàn)闀r(shí)鐘就是輸出是否改變的參考,乘以概率,就是翻轉(zhuǎn)的頻率。

如果我們定義:

wKgZomb4zn6ATgVRAAACcOlUBII674.jpg

即把電容乘以翻轉(zhuǎn)概率定義為有效電容,那么我們可以得到經(jīng)常見到的計(jì)算公式如下:

wKgaomb4zn6AJw6tAAAF0O__zFU201.jpg

推導(dǎo)過程其實(shí)很簡(jiǎn)單,但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。

1. Switching power 和電壓,翻轉(zhuǎn)率,負(fù)載電容有關(guān);

2. Switching power和數(shù)據(jù)無關(guān),也就傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不會(huì)影響翻轉(zhuǎn)功耗,但是數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)率會(huì)影響翻轉(zhuǎn)功耗;

3. Switching power和傳輸?shù)拇笮∫矡o關(guān)

由這個(gè)公式我們很容易得到如果想減少功耗,那么方法就是:

1. 降低電壓;

2. 降低翻轉(zhuǎn)率;

3. 減少負(fù)載電容

當(dāng)然,這些方法的前提永遠(yuǎn)是芯片的功能要滿足要求。功率再低,功能不滿足的芯片和板磚有什么區(qū)別,起碼板磚還能拍人。

芯片的功能要滿足要求這個(gè)基礎(chǔ)就決定了這些方法有一些限制,比如不可能把電壓降到0,不可能讓信號(hào)永遠(yuǎn)不翻轉(zhuǎn),不可能電容減少到0。這些都是前提。

2.1.2 內(nèi)部功耗(internal power)

內(nèi)部功耗又可以稱為短路功耗,因?yàn)橹饕蚴怯捎诙搪吩斐傻?。短路功耗是因?yàn)樵谳斎胄盘?hào)進(jìn)行翻轉(zhuǎn)時(shí),信號(hào)的翻轉(zhuǎn)不可能瞬時(shí)完成,因此PMOS和NMOS不可能總是一個(gè)截止另外一個(gè)導(dǎo)通,總有那么一段時(shí)間是使PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通,那么從電源VDD到地VSS之間就有了通路,就形成了短路電流,如下面的反相器電路圖所示:

wKgZomb4zn-AKuChAAAVcNoR2Uw277.jpg

加上短路功耗后,總的動(dòng)態(tài)功耗如下:

wKgaomb4zoCAVWL_AAAN7P1g3Bk521.jpg

后面的部分就是短路功耗。tsc是短路電流持續(xù)的時(shí)間,Ipeak是總的短路電流(包含了內(nèi)部電容充電的電流)

由于傳輸中短路持續(xù)的時(shí)間特別短,短路功耗相比翻轉(zhuǎn)功耗來說小很多。所以一般情況下會(huì)忽略短路功耗,把翻轉(zhuǎn)功耗就當(dāng)作動(dòng)態(tài)功耗,那么動(dòng)態(tài)功耗的簡(jiǎn)化公式就是:

wKgZomb4zoGAKXR2AAAF0O__zFU116.jpg

但是值得注意的是,有的情況下,還是要考慮短路功耗,比如如何處理門控模塊的懸空的輸出的時(shí)候。

2.2 靜態(tài)功耗

靜態(tài)功耗是由于漏電流引起的,在CMOS 門中,漏電流主要來自4個(gè)源頭:

1. 亞閾值漏電流(Sub-threshold Leakage, ISUB): 亞閾值泄漏電流是晶體管應(yīng)當(dāng)截止時(shí)流過的電流.

2. 柵極漏電流(Gate Leakage, Igate): 由于柵極氧化物隧穿和熱載流子注入,從柵極直接通過氧化物流到襯底的電流。

3. 柵極感應(yīng)漏電流(Gate Induced Drain Leakage, IGIDL): 結(jié)泄漏電流發(fā)生在源或漏擴(kuò)散區(qū)處在與襯底不同電位的情況下。結(jié)泄漏電流與其他泄漏電流相比時(shí)通常都很小。

4. 反向偏置結(jié)泄漏(Reverse Bias Junction Leakage ,IREV):由少數(shù)載流子漂移和在耗盡區(qū)產(chǎn)生電子/空穴對(duì)引起。

MOS管的結(jié)構(gòu)圖如下:

wKgZomb4zoKAcA66AAAnInMmc6I699.jpg

漏電流組成如下圖所示:

wKgaomb4zoOACQCUAAAi_idtjp0370.jpg

2.2.1亞閾值漏電流(Sub-threshold Leakage)

亞閾值漏電流(Sub-threshold Leakage)發(fā)生在CMOS gate沒有完全關(guān)斷時(shí)。一個(gè)比較好的計(jì)算公式如下:

wKgZomb4zoOAQTEkAAAH2sznpMA609.jpg

W/L是晶體管的尺寸,Vth是熱相關(guān)常量;Cox/Vth/W/L都是工藝相關(guān),不可以調(diào)整。VGS就是VDD;

VT是閾值電壓;可以看到,閾值電壓越高,漏電功耗就越低。但是閾值電壓越高,對(duì)應(yīng)的翻轉(zhuǎn)速度就會(huì)越慢,延時(shí)就會(huì)越大,性能就越差。

1. 可以通過調(diào)整VDD/VT來降低漏電流,從而減少漏電功耗。

2. 增加VT會(huì)帶來性能損失,只能在滿足功能需求前提下增加VT;

3. ISUB只和VDD/VT有關(guān),和信號(hào)翻轉(zhuǎn)這些都沒關(guān)系。這是一個(gè)工藝強(qiáng)相關(guān)的電流,RTL設(shè)計(jì)對(duì)其無影響。

亞閾值泄漏電流隨溫度呈指數(shù)增長(zhǎng)(Vth)。這大大增加了設(shè)計(jì)低功率系統(tǒng)的復(fù)雜性。即使在室溫下的泄漏是可以接受的,在最壞的情況下,溫度會(huì)超過芯片的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2.2.2柵極漏電流(Gate Leakage)

柵極泄漏電流發(fā)生在一個(gè)電壓加到柵上時(shí)(例如當(dāng)門導(dǎo)通時(shí))載流子遂穿通過薄柵介質(zhì)的情況下。

泄漏電流與介質(zhì)厚度有極強(qiáng)的關(guān)系。工藝中通過選擇合適厚度的介質(zhì)將柵泄漏電流限制到一個(gè)可接受的水平上。泄漏電流還取決于柵極電壓。通過使晶體管堆疊起來并使截止晶體管靠近電源/地線可以使柵泄漏電流減小。

在以往的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中,漏電電流一直以亞閾值漏電為主。但是從90nm開始,門極漏電幾乎是亞閾值漏電的1/3。在某些情況下,在65nm工藝下,它可以等于亞閾值泄漏。低于65nm,high-k介電材料必須進(jìn)行保持門級(jí)泄漏電流檢查,這似乎是唯一有效減少門泄漏電流的方法。

其他兩種流電流占比比較小,所以一般不做分析。有時(shí)會(huì)把靜態(tài)功耗統(tǒng)一為一個(gè)公式:

wKgaomb4zoWAESEvAAAJaFnujZ4713.jpg

Ipeak為泄露電流,減少靜態(tài)功耗的方法就是減小VDD和Ipeak。

2.3 不同結(jié)構(gòu)的功耗組成

SOC中不同結(jié)構(gòu)的對(duì)功耗的消耗是不一樣的。有幾個(gè)功耗大戶如下:

1. 時(shí)鐘樹功耗:時(shí)鐘樹的功耗通常占整個(gè)SOC功耗的40%左右,這是因?yàn)闀r(shí)鐘是一直在翻轉(zhuǎn)的信號(hào),所以動(dòng)態(tài)功耗特別大。所以門控時(shí)鐘技術(shù)就特別重要。

2. CPU: CPU是SOC主控制器,工作時(shí)CPU一般都必須要打開,隨著CPU頻率越來越高,功耗也越來越大。所以現(xiàn)在的多核,大小核就比較流行,不同場(chǎng)景下用不同功耗的CPU核;

3. GPU: GPU是并行處理單元,由于其算力主要來自多個(gè)模塊并行計(jì)算,為了正常工作,通常需要很多模塊同時(shí)運(yùn)算,功耗也很大,所以很多SOC都不帶GPU或者默認(rèn)關(guān)掉;

4. 存儲(chǔ)器:DDR這些存儲(chǔ)器作為SOC主存也需要時(shí)刻使用,也是功耗消耗的大戶。

SOC還有其他模塊,但是時(shí)鐘樹,CPU/GPU, 存儲(chǔ)器占了絕大部分的功耗。在AI芯片的時(shí)代,CCN IP也是功耗的主要來源,和GPU比較類似。

03

組件的使用

1 Gitee鏈接地址

Demo位于amaziot_bloom_os_sdksamplelibraries5.19-app_low_power

Gitee源碼地址:https://gitee.com/ning./hongdou

Github源碼地址:https://github.com/ayumid/hongdou

編譯指令:.build.bat -l .amaziot_bloom_os_sdksamplelibraries5.19-app_low_power

2 組件功能介紹

組件實(shí)現(xiàn)了 TCP 通信下的低功耗。

設(shè)備上電后會(huì)連接 TCP 服務(wù)器,之后發(fā)送登錄字符串“l(fā)ogin”,服務(wù)器回復(fù)字符串“l(fā)ogin_resp”后,設(shè)備會(huì)進(jìn)入低功耗狀態(tài)。低功耗狀態(tài)下,設(shè)備每隔60s會(huì)給服務(wù)器發(fā)送心跳字符串“heart”。當(dāng)設(shè)備在低功耗狀態(tài)下,服務(wù)器發(fā)送“wakeup”,設(shè)備會(huì)喚醒。服務(wù)器發(fā)送“suspend”,設(shè)備會(huì)重新進(jìn)入低功耗。測(cè)試平均功耗大概是5mA左右(參考下方固件測(cè)試圖)。

組件提供一個(gè)GPIO控制,如果硬件設(shè)計(jì)中是MCU+AM430EV5,通過這個(gè)IO,可以喚醒MCU。

3 代碼講解

1 low_power_gpio_init

功能:該函數(shù)用于,組件提供的用于喚醒主控MCU的GPIO。

參數(shù):無

返回值:無

示例:

low_power_gpio_init();

2 low_power_gpio_out

功能:該函數(shù)用于,GPIO輸出,用于適當(dāng)?shù)臅r(shí)間喚醒主控MCU。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
val 輸出電平

返回值:0

示例:

low_power_gpio_out(1)

3 low_power_send_msg

功能:該函數(shù)用于,發(fā)送消息給主任務(wù)。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
msgId 消息ID
extra 按需使用,額外信息
data 按需使用,額外數(shù)據(jù)

返回值:無

示例:

low_power_send_msg(LOW_POWER_CMD_SUSPEND, 1, NULL);

4 low_power_set_mcu_wake

功能:該函數(shù)用于,喚醒mcu。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針
wake gpio輸出狀態(tài)

返回值:無

示例:

low_power_set_mcu_wake(ad, 1);

5 low_power_wakeup_internal

功能:該函數(shù)用于,關(guān)閉網(wǎng)絡(luò)連接。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針

返回值:文件指針

示例:

low_power_net_close(ad);

6 low_power_net_send

功能:該函數(shù)用于,發(fā)送數(shù)據(jù)。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針
data 數(shù)據(jù)指針
sz 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度

返回值:無

示例:

low_power_net_send();

7 low_power_net_init

功能:該函數(shù)用于,發(fā)送數(shù)據(jù)。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針

返回值:無

示例:

low_power_net_init(ad);

8 low_power_net_connect

功能:該函數(shù)用于,連接服務(wù)器。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針
fd 套接字描述符
data 數(shù)據(jù)指針
sz 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度

返回值:無

示例:

ret = low_power_net_connect(ad, fd, rp->ai_addr, rp->ai_addrlen);

9 low_power_net_create

功能:該函數(shù)用于,發(fā)送數(shù)據(jù)。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針

返回值:無

示例:

low_power_net_create(ad);

10 low_power_net_recv

功能:該函數(shù)用于,接收服務(wù)器信息。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針

返回值:無

示例:

ret = low_power_net_recv(ad);

11 low_power_task

功能:該函數(shù)用于,主任務(wù)。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
param 任務(wù)參數(shù)指針,可不用

返回值:無

示例:

low_power_task();

12 low_power_config

功能:該函數(shù)用于,配置低功耗相關(guān)的信息。

參數(shù):

參數(shù) 釋義
ad 消息指針

返回值:無

示例:

low_power_config();

13 low_power_init

功能:該函數(shù)用于,初始化低功耗需要的資源,任務(wù)等。

參數(shù):無

返回值:無

示例:

low_power_init();

4 Demo實(shí)戰(zhàn)

4.1 創(chuàng)建一個(gè)Demo

復(fù)制4.2_hal_UART示例工程,到同一個(gè)文件夾下,修改文件名為5.19-app_low_power,如圖:

wKgZomb4zoaAGt3eAAByEYHAAug292.jpg

4.2 修改makefile

增加文件組件所在目錄頭文件路徑,和源文件路徑,如圖:

wKgaomb4zoeASmKQAABKWiDU5oE261.jpg

4.3 增加頭文件

使用代碼編輯器,將新建的工程文件加入代碼編輯器中,打開main.c,修改main.c,加入am.h等頭文件,如圖:

wKgaomb4zpGASJCaAAASINbyu48895.jpg

4.4 修改代碼

在Phase2Inits_exit 調(diào)用低功耗初始化函數(shù),如圖:

wKgZomb4zpKAPeLAAAAMK-QmiY4618.jpg

4.5 宏定義介紹

low_power_uart_printf

輸出日志到DEBUG 串口,日志比較少,可以輸出到這個(gè)串口,如果日志比較多,需要輸出到usb口,以免不必要的問題出現(xiàn)

low_power_catstudio_printf

輸出日志到USB 串口,使用catstudio查看,catstudio查看日志需要更新對(duì)應(yīng)版本mdb.txt文件,軟件打開filtter過濾日志,只查看用戶輸出的日志

LOW_POWER_TASK_STACK_SIZE

棧空間宏定義

4.6 函數(shù)介紹

Phase1Inits_enter

底層初始化,本例空

Phase1Inits_exit

底層初始化,本例空

Phase2Inits_enter

底層初始化,本例空

Phase2Inits_exit

創(chuàng)建主任務(wù),初始化消息隊(duì)列,定時(shí)器,任務(wù)等。

代碼片段:

int ret; sample_ele_log_uart_printf("debug> enter mainn"); ret = OSAFlagCreate(&sample_ele_log_flag_ref); ASSERT(ret == OS_SUCCESS); ret = OSATimerCreate(&sample_ele_log_timer_ref); ASSERT(ret == OS_SUCCESS); ret = OSATaskCreate(&sample_ele_log_task_ref, sample_ele_log_task_stack, SAMPLE_ELE_LOG_TASK_STACK_SIZE, 200, "filetest-task", sample_ele_log_task, NULL); ASSERT(ret == OS_SUCCESS); OSATimerStart(sample_ele_log_timer_ref, 5 * 200, 5 * 200, sample_ele_log_timer_callback, 0); // 3 seconds timer

sample_ele_log_timer_callback

定時(shí)器回調(diào)函數(shù),發(fā)送事件給主任務(wù)。

代碼片段:

OSAFlagSet(sample_ele_log_flag_ref, SAMPLE_ELE_LOG_TASK_TIMER_CHANGE_FLAG_BIT, OSA_FLAG_OR);

sample_ele_log_task

日志寫入任務(wù),由事件驅(qū)動(dòng),這里5s一次。

代碼片段:

while(1) { status = OSAFlagWait(sample_ele_log_flag_ref, flag_mask, OSA_FLAG_OR_CLEAR, &flag_value, OSA_SUSPEND); ASSERT(status == OS_SUCCESS); // sample_ele_log_uart_printf("debug> sample_ele_log_count = %d",sample_ele_log_count); // sample_ele_log_uart_printf("%s[%d] freesize: %d", __FUNCTION__, __LINE__, FDI_GetFreeSpaceSize()); if(flag_value & SAMPLE_ELE_LOG_TASK_TIMER_CHANGE_FLAG_BIT) { air_sw_log_write_data(11111.111111); } else { sample_ele_log_uart_printf("debug> open file for write errorn"); } }

4.7 編譯

在SDK根目錄打開命令行,輸入命令.build.bat -l .amaziot_bloom_os_sdksamplelibraries8.5_ele_log

PS F:3.asr-bcat.1-asr16061.softwareBLOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF
λ .build.bat -l .amaziot_bloom_os_sdksamplelibraries8.5_ele_log
子目錄或文件 outbin 已經(jīng)存在。
命令語法不正確。
子目錄或文件 buildobj 已經(jīng)存在。
gnumake: Entering directory `F:/3.asr-b/cat.1-asr1606/1.software/BLOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF/amaziot_bloom_os_sdk/sample/libraries/8.5_ele_log'
armcc.exe -c  --cpu Cortex-R4 --no_unaligned_access -g -O2 --apcs /inter --diag_suppress 2084,1,2,177,188,223,550,1296,2795,6319,9931,9933 --diag_error=warning --gnu --thumb --loose_implicit_cast  -DDATA_COLLECTOR_IMPL -DISPT_OVER_SSP -DDIAG_SSP_DOUBLE_BUFFER_USE_DYNAMIC_ALLOCATION -DENV_XSCALE -DL1_DCXO_ENABLED -DLTE_HIGH_MOBILITY_OPTIMIZATION -DRUN_XIP_MODE -DCRANE_Z2 -DCA_LONG_IPC_MSG -DNEZHA3 -DNEZHA3_1826 -DUPGRADE_PLMS -DUPGRADE_PLMS_SR -DLTE_GSMMULTIBCCH -DGPLC_LTE_RSSI_SCAN -DL1V_NEW_RSSI -DUPGRADE_PLMS_3G -DUPGRADE_PLMS_L1 -DUPGRADE_FG_PLMS -DFG_PLMS_URR -DUPGRADE_L1A_FG_PLMS -DUPGRADE_PLMS_STAGE_2 -DUPGRADE_MBCCH -DMULTI_BCCH_READY_IND -DURR_MRAT_ICS_SEARCH -DUPGRADE_ICS -DMRAT_NAS -DUPGRADE_PLMS_SEARCH_API -DICS_MBCCH -DICS_MBCCH_2G_RSSI -DDIAG_NEWPP -DPHS_SW_DEMO -DPHS_SW_DEMO_TTC -DPHS_SW_DEMO_TTC_PM -DFULL_SYSTEM -D_DDR_INIT_ -D_TAVOR_HARBELL_ -DUPGRADE_ARBEL_PLATFORM -D_TAVOR_B0_SILICON_ -DTDL1C_SPY_ENABLE -DDLM_TAVOR -DTAVOR -DFLAVOR_DUALCORE -DDEBUG_D2_MOR_REG_RESEREVED_ENABLE -D_DIAG_USE_COMMSTACK_ -D_TAVOR_DIAG_ -DPM_DEBUG_MODE_ENABLED -DPM_D2FULL_MODE -DPM_EXT_DBG_INT_ARR -DFEATURE_WB_AMR_PS -DMACRO_FOR_LWG -DHL_LWG -DOPTIMIZE_FOR_2G_BCCH -DPLAT_TEST -D_FDI_USE_OSA_ -DPLAT_USE_THREADX -DLWIP_IPNETBUF_SUPPORT -DCRANE_MCU_DONGLE -DAT_OVER_UART -DPHS_SW_DEMO_TTC_PM -DUPGRADE_LTE_ONLY -DEXT_AT_MODEM_SUPPORT -DLTEONLY_THIN_SINGLE_SIM -DLFS_FILE_SYS -DLFS_FILE_SYS_V2 -DPSM_ENABLE -DNO_PAHO_MQTT -DNO_XML -DNO_LWM2M -DREMOVE_MBEDTLS -DNO_AT_NET -DCRANE_SD_NOT_SUPPORT -DNTP -DYMODEM_EEH_DUMP -DENABLE_DM_LTEONLY -DLTEONLY_THIN -DNO_EXTEND_MY_Q_AT -DNOT_SUPPORT_HTTPS -DNOT_SUPPORT_PM813 -DCRANEL_4MRAM -DREMOVE_PB -DUART_NEW_VERSION -DREMOVE_MEP -DREMOVE_SMS -DREMOVE_ENVSIM -DAPN_INCODE -DLTEONLY_THIN_SINGLE_SIM_2MFLASH -DASR160X_OPENCPU_FEATURE -DENABLE_UART3_FEATRUE -DENABLE_UART4_FEATRUE -DYUGE_MBEDTLS_3_2_1 -DENABLE_MAC_TX_DATA_LOGGING -DDISABLE_NVRAM_ACCESS -DINTEL_UPGRADE_EE_HANDLER_SUPPORT -DLTE_W_PS -DL1_DUAL_MODE 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|RW_CPZ_8|CODEPSE |7e277000.80140a5c.0002e310.800e1000|0002e310->0001a000
|This Is LteOnly 4M|
|RW_CPZ_9|CODEPSF |7e2a9000.8016ed6c.0001c948.800fb000|0001c948->00011000
|This Is LteOnly 4M|
|RW_CPZ_A|CODE_PL |7e2ca000.8018b6b4.0002fa44.8010c000|0002fa44->0001e000
|This Is LteOnly 4M|
|RW_CPZ_B|CODEPLB |7e2fa000.801bb0f8.00039058.8012a000|00039058->00021000
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|RW_CPZ_C|CODEPLC |7e337000.801f4150.000268d4.8014b000|000268d4->00011000
|--------|--------|--------.--------.--------.--------|------------------------------|
|                                                     |      0x00203a24 -> 0x00145000|
|                                                     |       2.014(MB) ->  1.270(MB)|
|------------------------------------------------------------------------------------|
cp_1606L.axf
cp_1606L.bin
cp_1606L.map
gnumake: Leaving directory `F:/3.asr-b/cat.1-asr1606/1.software/BLOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF/amaziot_bloom_os_sdk/sample/libraries/8.5_ele_log'
"copy NEZHAC_CP_CNR_MIFI_TX.bin to ./ "

已復(fù)制         1 個(gè)文件。
 

4.8 生成固件

參考入門中開發(fā)工具,生成工具。

4.9 測(cè)試

測(cè)試步驟:

參考編譯教程,和文檔開頭的編譯指令,進(jìn)行編譯

按照編譯教程選擇對(duì)應(yīng)的選項(xiàng)

燒錄

4.10 固件

TCP連接

60s一次心跳,測(cè)試1小時(shí);

wKgaomb4zpSAf6oWADTx_N4e8OE939.jpg

點(diǎn)擊下載 TCP 長(zhǎng)連接 低功耗 Demo 固件

5 生態(tài)組件鏈接

本文章源自奇跡物聯(lián)開源的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用知識(shí)庫(kù)Cellular IoT Wiki,更多技術(shù)干貨歡迎關(guān)注收藏Wiki:Cellular IoT Wiki 知識(shí)庫(kù)(https://rckrv97mzx.feishu.cn/wiki/wikcnBvAC9WOkEYG5CLqGwm6PHf)

歡迎同學(xué)們走進(jìn)AmazIOT知識(shí)庫(kù)的世界!

這里是為物聯(lián)網(wǎng)人構(gòu)建的技術(shù)應(yīng)用百科,以便幫助你更快更簡(jiǎn)單的開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

Cellular IoT Wiki初心:

在我們長(zhǎng)期投身于蜂窩物聯(lián)網(wǎng) ODM/OEM 解決方案的實(shí)踐過程中,一直被物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)碎片化與產(chǎn)業(yè)資源碎片化的問題所困擾。從產(chǎn)品定義、芯片選型,到軟硬件研發(fā)和測(cè)試,物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的碎片化以及產(chǎn)業(yè)資源的碎片化,始終對(duì)團(tuán)隊(duì)的產(chǎn)品開發(fā)交付質(zhì)量和效率形成制約。為了減少因物聯(lián)網(wǎng)碎片化而帶來的重復(fù)開發(fā)工作,我們著手對(duì)物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)中高頻應(yīng)用的技術(shù)知識(shí)進(jìn)行沉淀管理,并基于 Bloom OS 搭建了不同平臺(tái)的 RTOS 應(yīng)用生態(tài)。后來我們發(fā)現(xiàn),很多物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)都面臨著相似的困擾,于是,我們決定向全體物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)開發(fā)者開放奇跡物聯(lián)內(nèi)部沉淀的應(yīng)用技術(shù)知識(shí)庫(kù) Wiki,期望能為更多物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)者減輕一些重復(fù)造輪子的負(fù)擔(dān)。

Cellular IoT Wiki沉淀的技術(shù)內(nèi)容方向如下:

wKgaombqoM2AYL2RAAQrZ8e-uz8392.jpg

奇跡物聯(lián)的業(yè)務(wù)服務(wù)范圍:基于自研的NB-IoT、Cat1、Cat4等物聯(lián)網(wǎng)模組,為客戶物聯(lián)網(wǎng)ODM/OEM解決方案服務(wù)。我們的研發(fā)技術(shù)中心在石家莊,PCBA生產(chǎn)基地分布在深圳、石家莊、北京三個(gè)工廠,滿足不同區(qū)域&不同量產(chǎn)規(guī)模&不同產(chǎn)品開發(fā)階段的生產(chǎn)制造任務(wù)。跟傳統(tǒng)PCBA工廠最大的區(qū)別是我們只服務(wù)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)客戶。

連接我們,和10000+物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)者一起 降低技術(shù)和成本門檻

讓蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用更簡(jiǎn)單~~

哈哈你終于滑到最重要的模塊了,

千萬不!要!劃!走!忍住沖動(dòng)!~

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審核編輯 黃宇

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