瀚海微SD NAND之SD 協(xié)議（35）ESD要求

放電模式:

(1)人體模式(HBM)+- 4kv。100pF/1.5Kohm 參考 JESD22-A114-D (IEC60749-26)

(2)機(jī)器模式 (MM) +-200V, 200pF/Oohm 參考JESD22-A115-A (IEC60749-27)

測(cè)試項(xiàng)目

觸點(diǎn)放電:

(a) HBM測(cè)試+/-4KV，參考JESD22-A114-D 100pF/1.5kohm

(b) MM測(cè)試+/-200V參考JESD22-A115-A 200pF/0 ohm

(c) +/-2KV， +/-4KV參考IEC61000-4-2型號(hào)150pF / 330歐姆，在不接地配置下對(duì)單個(gè)觸點(diǎn)焊片進(jìn)行觸點(diǎn)放電測(cè)試。每個(gè)接觸紙極性每個(gè)電壓應(yīng)力水平施加五次放電。

(2)對(duì)非接觸式焊盤(pán)區(qū)域的空氣放電:

非接觸式焊盤(pán)空氣放電+/-4KV， +/-8KV， +/-15KV參考IEC61000-4-2型號(hào)150pF 330歐姆，用于非接地配置的非接觸式焊盤(pán)。接觸片應(yīng)覆蓋適當(dāng)?shù)慕^緣材料，以避免放電到接觸片。

(3) CE認(rèn)證的空氣放電測(cè)試:

SDA建議SD卡按照EN55024獲得CE認(rèn)證。

CE認(rèn)證要求+/-8KV空氣放電參考IEC61000-4-2當(dāng)卡插入并在主機(jī)上通電時(shí)。

用于測(cè)試的主機(jī)應(yīng)包括與主機(jī)所提供的任何電源或數(shù)據(jù)電纜的連接。

(4)耦合平面:+/-8KV參考IEC61000-4-2

測(cè)試結(jié)果要求:

(1)SD卡應(yīng)按規(guī)定工作;

(2)在進(jìn)行ESD測(cè)試前，SD卡應(yīng)保留卡內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

審核編輯 黃宇