詳細(xì)剖析28V通用型GaN射頻功率器件以及應(yīng)用

產(chǎn)品概述

1.無(wú)內(nèi)匹配設(shè)計(jì)，最大化產(chǎn)品的寬帶特性和通用性。

2.依據(jù)芯片和封裝的不同組合，功率涵蓋6W-180W等多種檔次,頻率高達(dá)6GHz。

3.產(chǎn)品兼容28-32V供電，產(chǎn)品定標(biāo)于28V。

4.固晶(Die attach)，鍵合(Wire bonding)，封裝(Package)等金屬化環(huán)節(jié)全面采用金(Au)系統(tǒng)

5.業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式，產(chǎn)品默認(rèn)形態(tài)為有耳形式(Eared), 可同時(shí)滿足焊接和螺釘固定等多種裝配要求。(并提供無(wú)耳Earless形式的封裝，具體請(qǐng)咨詢(xún)我們)。包括

單端(Single Ended) 器件：MME/GXB

推挽對(duì)管(Push Pull)器件：LBB

6.高導(dǎo)熱材料法蘭底座，有效提高產(chǎn)品性能和可靠性

7.產(chǎn)品執(zhí)行完整的直流和射頻測(cè)試，確保性能批量一致性。

8.結(jié)溫控制在200攝氏度以下可確保百萬(wàn)小時(shí)量級(jí)的平均無(wú)故障時(shí)間。

產(chǎn)品目錄

應(yīng)用場(chǎng)景

GaN HEMT (氮化鎵高電子遷移率晶體管) 因其具備的高功率密度、低寄生參數(shù)和高截至頻率 (Ft) 等固有特性，可以作為以下場(chǎng)合的器件首選：

3GHz以上所有形式的功率放大器

3GHz以下LDMOS等技術(shù)不能滿足的高效率窄帶功率放大器

匹配緊湊或小型化功率放大器

>20%相對(duì)帶寬的寬帶功率放大器

超寬帶及倍頻程功率放大器

開(kāi)關(guān)模式或諧波調(diào)制方式工作的功率放大器

典型應(yīng)用：

寬帶及超寬帶通信

移動(dòng)通信

測(cè)試及測(cè)量放大器

商業(yè)脈沖放大器

線性放大器

工業(yè)/科技/醫(yī)療

應(yīng)用要點(diǎn)

1.器件的管腳定義

考慮到和LDMOS產(chǎn)品的兼容性以及絕大多數(shù)客戶的使用習(xí)慣，器件的輸出管腿,即Drain極默認(rèn)為有缺角的一側(cè)，另外一側(cè)為輸入柵極，和市場(chǎng)上的部分品牌不同，請(qǐng)客戶使用時(shí)注意。

2.器件的安裝方式建議

通常我們的應(yīng)用演示電路都采用將器件直接焊接的方式，以獲得最低的整體熱阻并有效降低接地帶來(lái)的源極電感，這對(duì)于氮化鎵這種高功率密度的器件尤為重要，特別是寬帶高功率等場(chǎng)合應(yīng)用的時(shí)候，我們建議客戶焊接器件使用。如客戶不能焊接器件，必須采用常規(guī)螺釘固定等方式的時(shí)候，請(qǐng)注意提供有效散熱。

3.如何考慮器件的升壓使用

通常器件是在28V進(jìn)行性能定標(biāo)的，如果客戶需要獲得更高的輸出功率或者改善線性等，提高工作電壓是可行手段，例如從28V提升至32V,通常有0.5-1dB的功率提升；在獲得收益的同時(shí)，請(qǐng)留意相應(yīng)提高的散熱壓力等負(fù)面因素。我們的器件建議在32V以下使用，如果需要進(jìn)一步提升電壓，請(qǐng)咨詢(xún)我們。

4.如何理解器件的輸出功率

我們對(duì)功率輸出能力的標(biāo)定，考慮了芯片的功率密度以及應(yīng)用環(huán)境等因素，通常以中等帶寬條件下可實(shí)現(xiàn)的輸出能力為準(zhǔn)?？蛻羰褂脠?chǎng)合的不同，會(huì)體會(huì)到不同的輸出功率。同時(shí)，標(biāo)稱(chēng)功率均指3dB壓縮條件下的飽和輸出功率。以NME4004H為例，作為一個(gè)標(biāo)稱(chēng)40W的器件，在窄帶或者點(diǎn)頻使用中，可以實(shí)現(xiàn)大于50W的輸出，但應(yīng)用在倍頻程等超寬帶場(chǎng)合，全頻段的最低輸出能力又會(huì)下降到40W以下，例如30W。具體請(qǐng)咨詢(xún)我們的技術(shù)支持。

5.連續(xù)波CW和脈沖應(yīng)用

器件均支持連續(xù)波和脈沖應(yīng)用，在常見(jiàn)散熱條件下，脈沖功率略高于連續(xù)波功率。

6.28V 通用型氮化鎵可以用到移動(dòng)通信功率放大器中嗎？

可以，在Sub-6GHz所有的應(yīng)用上，包括移動(dòng)通信所有的頻段內(nèi)都可以使用。但是考慮到移動(dòng)通信的特點(diǎn)，我們針對(duì)移動(dòng)通信常見(jiàn)頻段進(jìn)行了相應(yīng)的優(yōu)化內(nèi)匹配設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了更有針對(duì)性的產(chǎn)品(Telecom 28V GaN， 另行介紹)。

7.28V 氮化鎵產(chǎn)品使用在較低的HF/VHF頻段合適嗎？

氮化鎵的主要優(yōu)勢(shì)在于高頻和寬帶。在較低的HF/VHF使用氮化鎵，需要額外考慮極高增益帶來(lái)的器件穩(wěn)定性設(shè)計(jì)。同時(shí)可以考慮我們高性能的28V LDMOS，可以獲得與氮化鎵相近的射頻性能。

超寬帶應(yīng)用范例

NME6003H 150-3000MHz 15W

NU4012H 900-3000MHz 60W