三星電子調整HBM內存產能規(guī)劃，應對英偉達供應延遲

近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲，對其HBM內存的產能規(guī)劃進行了調整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓，這一調整反映了半導體行業(yè)當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。

原本，三星電子計劃在2023年第二季度將HBM內存的月產能提升至14萬至15萬片晶圓，并期望在明年年底前達到20萬片的產能目標。這一規(guī)劃旨在應對其主要競爭對手SK海力士的擴產計劃，以保持三星在HBM內存市場的領先地位。

然而，由于三星的HBM3E內存未能如期通過英偉達的質量測試，公司被迫放緩了生產設備的導入，并推遲了追加投資的時機。這一延遲不僅影響了三星的產能提升計劃，還可能對其與英偉達的合作產生不利影響。

面對這一挑戰(zhàn)，三星電子決定調整產能規(guī)劃，以確保在確認能夠向英偉達量產供應HBM3E內存后再做進一步的投資決策。這一舉措旨在降低因供應延遲而帶來的風險，并維護三星在半導體市場的競爭力。

未來，三星電子將繼續(xù)關注市場動態(tài)和客戶需求，靈活調整產能規(guī)劃，以應對半導體行業(yè)的不斷變化和挑戰(zhàn)。