納微十年，氮化鎵GaNSlim上新，持續(xù)引領集成之勢

電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）十年前納微半導體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產品，也推動了“氮化鎵”的認知普及，當然也成就了納微輝煌的十年。

如今，納微在氮化鎵產品線上不斷拓展，最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領域，進一步簡化和加速尺寸緊湊、高功率密度的應用開發(fā)。

從消費電子到數據中心，業(yè)績增長可觀

納微半導體2024年第二季度總收入增長至2,050萬美元，比2023年同期的1,810萬美元增長13%。其財務表現超出市場預期。

從最早的消費電子到AI數據中心、電動汽車等領域，納微氮化鎵和碳化硅的應用版圖不斷擴張。據財報顯示，移動/消費電子方面，移動電子客戶持續(xù)增加納微氮化鎵在快充產品中的應用。預計2024年小米和OPPO對納微氮化鎵的采用率將達30%。筆電方面，聯想和戴爾也再次采用了納微GaNFast技術。納微第二季度推出了16款全新納微GaNFast充電器，使采用納微方案的快充總數超過470款。

企業(yè)/AI數據中心方面，自2023年12月投資者日以來，納微數據中心在研客戶項目翻了一番，目前開發(fā)中的客戶項目超過60個，24年第二季度又有7個數據中心電源項目推進至客戶評審階段。

此外，電動汽車/電動交通方面，在研客戶項目強勁增長，數量超200個。納微22kW車載充電機（OBC）方案在2024年第二季度有15個客戶項目推進至評審階段。納微預計在2025年底，電動汽車業(yè)務將獲得首批由氮化鎵技術帶來的收入。

GaNSlim集成之作

一直以來，納微的氮化鎵功率芯片專注于以更高的集成度實現高效率、高性能的功率變換，打造最簡單的系統(tǒng)設計，盡可能縮短客戶產品從設計到市場的時間。

納微半導體高級技術營銷經理詹仁雄表示GaNSlim系列產品具有六大特點。超低待機和啟動電流、800伏最高電壓、系統(tǒng)溫度更低、無損電流檢測、電磁干擾(EMI)設計更容易以及系統(tǒng)設計更簡化等。

由于具備低于10μA的超低啟動電流和超低待機電流，GaNSlim可與SOT23-6控制器兼容，無需高壓啟動功能，就能滿足待機功耗要求。

GaNSlim采用了DPAK-4L封裝，該封裝為納微專利，具有高散熱性能、小外觀尺寸、低寄生電感。與其他傳統(tǒng)的QFN封裝相比，工作溫度低7°C以上，可支持高達500W的高功率密度設計。

集成的無損電流檢測功能可以省去外部電流檢測電阻，優(yōu)化了系統(tǒng)的效率和可靠性。過溫保護功能確保了系統(tǒng)的魯棒性，自動睡眠模式提高了輕載和無負載時的效率。智能化開關斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度，同時減少了外部元件的數量、系統(tǒng)成本和優(yōu)化了EMI性能。

GaNSlim與GaNSense相比，封裝采用DPAK-4L，啟動電流下降，適配各種控制器，無損電流檢測，尤其是EMI性能得到提升。外圍器件更少，LAYOUT更容易，系統(tǒng)設計更簡單。

與業(yè)界其他同類的GAN產品相比，GaNSlim散熱性能更好，內置EMI優(yōu)化，啟動電流較小、耐壓更高，且同樣外圍器件更節(jié)省。

GaNSlim家族NV614x系列產品，額定DC耐壓為700V，導通阻抗（RDS(ON)）從120m?到330m?，并分別針對隔離型和非隔離型電源拓撲作了相應的性能優(yōu)化，可提供豐富的產品類型。

由于GaNSlim方案相比傳統(tǒng)硅具有更好的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，正在500W以下的手機和筆電充電器、消費電子和家用電器多個市場得到廣泛應用。

納微高管表示，這款產品自2022年底開始規(guī)劃，2023年底推出工程樣品，到今年在移動、消費電子和家電市場已有超過50個客戶項目，并將繼續(xù)推動在研客戶數量增長。客戶認可度非常高。

持續(xù)引領氮化鎵市場

納微以集成化引領行業(yè)的發(fā)展，在成立十周年之際，推出的新品系列命名為GaNSlim，進一步強化了納微一貫的極簡、集成化的設計理念。GaNSlim將邁向集成之巔、易用至極的高度。

據透露，此次發(fā)布的GaNSlim定義為4.5代產品，未來即將推出的第5代產品更加令人期待。

氮化鎵器件以其高功率密度高效能在消費電子、數據中心等得以廣泛應用。?根據市場調研機構TrendForce集邦咨詢的報告，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元，預計到2030年將上升至43.76億美元，復合年增長率（CAGR）高達49%。

業(yè)內專家認為隨著GaN的性能得到越來越多的認可，以及大規(guī)模應用后成本效益更佳，在電壓合適的場景下GaN一定會取代硅。未來GaN市場空間巨大，納微半導體的高速增長可期。