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中國(guó)半導(dǎo)體:專利增長(zhǎng)42%達(dá)全球第一

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-10-25 11:35 ? 次閱讀

10月23日消息,據(jù)外媒The register援引知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司 Mathys & Squire 的數(shù)據(jù)稱,近年來全球半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量持續(xù)激增,2023年-2024年度全球半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量同比增長(zhǎng)22%,達(dá)到80892項(xiàng),同比增長(zhǎng)22%。其中,中國(guó)的半導(dǎo)體申請(qǐng)量從 32,840 件激增至 46,591 件,增幅高達(dá) 42%,超過其他所有國(guó)家和地區(qū)。

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有媒體報(bào)道稱,這一顯著增長(zhǎng)的背后,主要由于是美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體出口管制,促使中國(guó)加大了對(duì)本土半導(dǎo)體研究與開發(fā)的投資。

中國(guó)官方也已經(jīng)明確表示——科技行業(yè)必須自主創(chuàng)新,以避免陷入半導(dǎo)體依賴陷阱。半導(dǎo)體已被推到技術(shù)優(yōu)先事項(xiàng)清單的首位,其成果正在專利申請(qǐng)數(shù)量中體現(xiàn)出來。

但這一增長(zhǎng)并不僅僅受到地緣政治因素的影響,還有AI技術(shù)的快速發(fā)展,推動(dòng)了全球芯片制造商,包括中國(guó)的公司,爭(zhēng)相申請(qǐng)下一代AI硬件技術(shù)的專利。

與此同時(shí),在《通脹削減法案》的推動(dòng)下,2023-2024年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)專利申請(qǐng)量也同比增長(zhǎng)了9%,達(dá)到了21269項(xiàng)。

報(bào)告還指出,隨著美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》向芯片制造業(yè)投入資金(臺(tái)積電的亞利桑那州工廠就是例子),美國(guó)渴望在加大研發(fā)力度的同時(shí),保持其半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先和供應(yīng)鏈的穩(wěn)固。

半導(dǎo)體制造設(shè)備方面,雖然目前在關(guān)鍵的光刻機(jī)領(lǐng)域,ASML一家獨(dú)大,并且其還是全球唯一的EUV(極紫外)光刻機(jī)供應(yīng)商,但是新的國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)(“套刻≤8nm)的曝光,以及國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出的諸多新不同技術(shù)路線的EUV光刻相關(guān)專利,也反應(yīng)了國(guó)內(nèi)EUV技術(shù)研究的進(jìn)步。
比如,國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局2023年6月公布的由中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院申請(qǐng)的《極紫外光源裝置》的發(fā)明專利,該發(fā)明提供了一種極紫外光源裝置,以產(chǎn)生平均功率千瓦量級(jí)、全相干、穩(wěn)定的EUV光。(與ASML的LPP光源是完全不同)。

【近期會(huì)議】

10月30-31日,由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦的“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將首次與大家在江蘇·常州相見,邀您齊聚常州新城希爾頓酒店,解耦產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)布局!https://w.lwc.cn/s/uueAru

11月28-29日,“第二屆半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)”將再次與各位相見于廈門,秉承“延續(xù)去年,創(chuàng)新今年”的思想,仍將由云天半導(dǎo)體與廈門大學(xué)聯(lián)合主辦,雅時(shí)國(guó)際商訊承辦,邀您齊聚廈門·海滄融信華邑酒店共探行業(yè)發(fā)展!誠(chéng)邀您報(bào)名參會(huì):https://w.lwc.cn/s/n6FFne


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審核編輯 黃宇

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