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美光與英特爾在3D存儲芯片市場上合作到頭

jXID_bandaotigu ? 來源:未知 ? 作者:李威 ? 2018-03-05 15:52 ? 次閱讀

近日,Intel在官網(wǎng)宣布,和美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化。具體來說,雙方會在2018年繼續(xù)第三代3D NAND(預(yù)計是96層)的研發(fā)、生產(chǎn)合作,一直持續(xù)到2019年初。在此之后,則分道揚鑣。目前,兩者正就第二代64層3D 閃存進行增產(chǎn)工作。

Intel強調(diào),雙方都認為,獨立之后,將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品、服務(wù)客戶,且不會對路線圖和技術(shù)節(jié)點造成影響。至于兩者最重要的3D XPoint傲騰閃存,Intel稱,他們?nèi)耘f會在猶他州的Lehi工廠聯(lián)合研發(fā)制造。

資料顯示,12年前,Intel和美光成立了合資企業(yè)IM Flash Technologies(IMFT),孕育的首批產(chǎn)品是72nm NAND。

在2012年的時候,Intel把多數(shù)IMFT工廠的股份賣給了美光,而只保留Lehi這一個據(jù)點。此后,雙方就開始各自興建自己的生產(chǎn)線,事實上這已經(jīng)可視為苗頭。英特爾已經(jīng)推出了幾款3D XPoint產(chǎn)品,但是到目前為止,美光科技還沒有什么動作。盡管目前來看,英特爾的芯片主要面向個人電腦,而美光科技的芯片主要面向服務(wù)器,但是英特爾技術(shù)路線圖進取十足,意味著不久的將來我們就能看到這兩家公司產(chǎn)品的短兵交接。

美光在服務(wù)器市場上遲遲未能推出3D XPoint產(chǎn)品,英特爾可能會捷足先登。在最近這個季度的DRAM和NAND市場上,美光在DRAM產(chǎn)品的出貨量和運營利潤率方面超過了英特爾。2005年,英特爾和美光成立了一家合資公司英特爾-美光閃存科技(IMFT),旨在共同制造NAND閃存,第一款產(chǎn)品就是72nm的平面NAND。這家合資公司后來于2015年共同開發(fā)了一種新型的3D XPoint存儲器技術(shù)。

當時英特爾的官方新聞稿中有這樣的內(nèi)容:

“兩家公司已經(jīng)同意在今年年底,最遲延續(xù)到2019年年初完成第三代3D NAND技術(shù)的開發(fā)后,將針對各自公司的業(yè)務(wù)需求,獨立開發(fā)3D NAND技術(shù),以便更好地對技術(shù)和產(chǎn)品進行優(yōu)化?!?/p>

而近日DigiTimes的一篇文章稱:

“為了加強在中國NAND閃存市場的地位,英特爾計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產(chǎn)能,不僅如此,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,它還可能將其技術(shù)授權(quán)給清華紫光,以便在一年之內(nèi)終止和美光在NAND領(lǐng)域的合作關(guān)系之后,迅速在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。”

如果發(fā)生DigiTimes報道的這種情況,將會改變整個NAND市場的動態(tài),對美光科技來說當然是不利的。 當然,這個分析遭到一眾看好美光科技的投資者的輕蔑對待,但是,一個月過去了,沒有一個來自英特爾或美光科技的管理層人士出面發(fā)表對DigiTimes報道的評論。

不過,這些都不是本文的要點,本文要討論到的是英特爾和美光在其合資公司開發(fā)的3D Xpoint技術(shù)上的競爭。英特爾在上面同一篇新聞稿指出:

“兩家公司還將繼續(xù)在位于猶他州Lehi的IMFT合資工廠共同開發(fā)和制造3D XPoint,該工廠現(xiàn)在完全專注于3D XPoint存儲器的生產(chǎn)?!?/p>

英特爾和美光科技相信3D Xpoint產(chǎn)品可以最終取代PC和服務(wù)器中的傳統(tǒng)固態(tài)硬盤和DRAM。一旦IMFT解體(這件事情可能不到2018年年底就會發(fā)生),分道揚鑣后,最初,英特爾會推出專注于個人電腦的Optane,而美光的QuantX將專注于服務(wù)器。

英特爾

英特爾已經(jīng)開始出貨3D Xpoint產(chǎn)品了。第一款產(chǎn)品是2017年4月推出的的Optane Memory - 它使用16GB或32GB的一個小硬盤作為緩存,用來搭配機械硬盤,旨在面向主流消費者。第二款產(chǎn)品是2017年11月推出的280GB或480GB 的900P(2017年11月),是一種針對發(fā)燒友的高性能PCIe設(shè)備。

英特爾在2018年CES上推出的新款800P預(yù)計將于2018年3月發(fā)售,容量為58GB或118GB。這是一款低延遲的M.2 SSD,可以填補用作硬盤加速器的Optane Memory模塊和用于臺式機的U.2/PCIe兩種形式的Optane SSD 900P之間的市場空間,800P可以與英特爾的高速緩存存儲器軟件一起使用,并具有NVMe存儲設(shè)備的額外優(yōu)勢。

2017年11月中旬,在瑞銀全球技術(shù)大會上,英特爾執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)中心事業(yè)部總裁Navin Shenoy分享了英特爾最新的3D XPoint DIMM產(chǎn)品路線圖。英特爾聲稱,他們計劃在2018年下半年推出3D XPoint DIMM內(nèi)存條。他們預(yù)計,到2021年,3D 3D XPoint DIMM模組的市場規(guī)模將達到80億美元。

美光

美光的QuantX進展情況如何呢? 美光科技公司總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在該公司2018年第一財季電話會議上表示:

“我們的3D XPoint技術(shù)繼續(xù)取得良好進展。 從歷史上看,美光在3D XPoint方面的努力主要集中在技術(shù)開發(fā)和早期制造階段,但是現(xiàn)在我們越來越關(guān)注高價值產(chǎn)品解決方案,最近我們已經(jīng)組織了一個產(chǎn)品開發(fā)團隊來解決我們面前的機遇。

同時,我們正在與生態(tài)系統(tǒng)中的各種參與者一起評估市場和實施機會,我們將會在即將到來的分析師活動中提供有關(guān)這些機會的更多細節(jié)。隨著市場的發(fā)展,我們也將繼續(xù)有機會將我們的3D XPoint產(chǎn)品出售給我們的合作伙伴?!?span style="text-indent: 2em;">也就是說,英特爾在2017年年初就推出了第一款Optane品牌的3D XPoint產(chǎn)品,而美光至今還在3D XPoint產(chǎn)品的開發(fā)階段,并計劃在將來的某個時間以QuantX品牌將它們推向市場。

美光的QuantX遲遲不見蹤影,英特爾進取十足的路線圖則把自身定位為個人電腦領(lǐng)域3D XPoint產(chǎn)品的領(lǐng)導者。盡管有報道稱美光的目標是向服務(wù)器和高端系統(tǒng)提供高容量的QuantX SSD和DRAM產(chǎn)品,但是目前尚不能排除英特爾也為這些應(yīng)用開發(fā)Optane產(chǎn)品的可能性。

美光在DRAM和NAND市場上的競爭表現(xiàn)怎么樣?

既然本文是在談?wù)撁拦夂陀⑻貭栐?D XPoint產(chǎn)品上的競爭表現(xiàn),那么,讓我們花點時間看看它在傳統(tǒng)存儲器件上和三星電子以及SK海力士的競爭表現(xiàn)到底怎么樣吧。

不久前,美光公司將其第二季度的營收指引從72億美元調(diào)高至73.5億美元(之前曾經(jīng)從68億美元調(diào)高到72億美元,業(yè)界一致預(yù)期為70.2億美元)。這一消息直接導致了美光股票的躥升表現(xiàn)。

影響

美光已經(jīng)在傳統(tǒng)的DRAM和2D NAND、3D NAND市場中面臨強大的競爭。未來幾年,隨著來自中國制造商的DRAM和NAND芯片的供應(yīng)量增加,美光的競爭壓力有增無減。如果英特爾果真于2019年將其NAND技術(shù)授權(quán)給中國芯片制造商,那么,英特爾和美光將在它們在IMFT公司聯(lián)合開發(fā)出來的NAND芯片市場上相互競爭。

英特爾和美光合資開發(fā)了下一代非易失性存儲器技術(shù)-3D XPoint,雖然兩家公司目前制定的終端產(chǎn)品路線圖有所不同,但是,一旦英特爾確認美光面向的目標市場確實利潤豐厚,它完全可以憑借其龐大的生產(chǎn)能力和客戶群輕易地殺入到美光的自留地領(lǐng)域,從而成為美光最強勁的競爭對手。美光的“缺席”所創(chuàng)造的真空可能很容易被英特爾填補。

AnandTech認為,Intel和美光的市場屬性不同,Intel只愿意將閃存給自己的SSD用,而美光則急于參與全球競爭,把閃存賣給更多客戶,尤其是手機廠商,這或許是“分手”的主要原因。

不過,對普通消費者來說,今后的市場將會更加開闊,多頭競爭必然導致價格更合理,倒是好事。

英特爾與美光3D XPoint技術(shù)解析

早在2015年7月底,英特爾和美光就聯(lián)合對外發(fā)布了兩家攜手開發(fā)的最新存儲介質(zhì):3D XPoint,并宣稱這項技術(shù)在速度及耐用性方面,對比當前存儲介質(zhì),均實現(xiàn)了最高可達1000倍的提升。此外,相比傳統(tǒng)存儲器,該存儲器技術(shù)的存儲容量密度也提升高達10倍。

如果只看字面的意思,這將是一個驚人且充滿想象力的消息,可究竟3D XPoint是什么,對于當前的存儲介質(zhì)而言,這項新技術(shù)真的能夠顛覆當前閃存在速度和耐用性上的存儲地位么?

在簡短的發(fā)布會上,英特爾與美光并未透露過多技術(shù)細節(jié),甚至可以說什么都沒有講,人們被勾起的好奇心卻從發(fā)布會當中找不到任何的技術(shù)源頭,但外媒在當天第一時間對這項技術(shù)進行了猜測和解析,談到3D XPoint架構(gòu)會是一種全新大容量存儲介質(zhì),用介質(zhì)來形容它要比技術(shù)更為準確,用最簡短的一句話來形容:3D XPoint是介于內(nèi)存DRAM與閃存NAND Flash之間的一種全新介質(zhì),比DRAM要慢,但它比DRAM要便宜,比NAND要快,但是比NAND要貴,最重要的是它是非易失性的。所以,斷電之后數(shù)據(jù)不丟失。

英特爾與美光拒絕透露神秘的材料

3D XPoint雖然宣布正在準備大規(guī)模生產(chǎn),但美光和英特爾都拒絕透露技術(shù)細節(jié)。不說用的什么材料,不公布性能參數(shù),只是表示很快就有樣品亮出,雙方還都表示2016年才會正式推出這一產(chǎn)品。

美光唯一表示技術(shù)細節(jié)的描述談到:3D XPoint將會比DRAM慢五到八倍。這意味著它不可能改變內(nèi)存計算那種應(yīng)用場景,也就是說無法取代內(nèi)存DRAM,更加針對的是當前的NAND閃存市場。3D XPoint跟常規(guī)的2D平面NAND的容量差不多,但比DRAM的密度高出十倍。意味著美光和英特爾的閃存產(chǎn)品的密度上將保持優(yōu)勢。

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原文標題:一言不合就分手!美光將與英特爾在3D存儲芯片市場上大打出手

文章出處:【微信號:bandaotiguancha,微信公眾號:半導體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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