關(guān)鍵型IFF和航空電子應(yīng)用的信號(hào)完整性和范圍得到大幅提升
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管---QPD1025。QPD1025在65 V下運(yùn)行1.8KW,提供出色的信號(hào)完整性和更大的范圍,這對(duì)L頻段航空電子應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。
Strategy Analytics公司的戰(zhàn)略技術(shù)實(shí)踐執(zhí)行總監(jiān)Asif Anwar表示,“Qorvo的QPD1025晶體管對(duì)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)是真正顛覆性的產(chǎn)品。提供與硅基LDMOS和硅雙極器件相比,它不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能,在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案,在熱管理工藝流程中無(wú)需采用金剛石等耐高溫材料,具備極高的高性價(jià)比?!?br />
Qorvo高功率解決方案部總經(jīng)理Roger Hall表示,“這款新型高功率晶體管無(wú)需結(jié)合放大器的復(fù)雜操作便可實(shí)現(xiàn)數(shù)千瓦的解決方案,能夠大幅節(jié)省客戶的時(shí)間和成本。與LDMOS相比,QPD1025的漏極效率有了顯著提升,效率高出近15個(gè)百分點(diǎn),這對(duì)IFF和航空電子應(yīng)用來(lái)說(shuō)都非常重要?!?br />
Qorvo提供業(yè)內(nèi)種類(lèi)最多、最具創(chuàng)意的GaN-on-SiC產(chǎn)品組合。Qorvo產(chǎn)品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點(diǎn),早在2000年就開(kāi)始批量生產(chǎn)。
QPD1025的工程樣品現(xiàn)已上市。
QPD1025 1800 W、65 V、GaN RF輸入匹配晶體管
頻率范圍:1.0至1.1 GHz
線性增益:22.5 dB(1.0 GHz負(fù)載牽引時(shí))
PAE3dB典型值:77.2%(1.0 GHz負(fù)載牽引時(shí))
支持CW和脈沖模式
封裝:4引腳NI-1230(無(wú)耳式)
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