介紹
本設(shè)計實例報告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC單面USB充電器。它具有內(nèi)置的高效率同步整流和單面PCB。此外,它具有次級側(cè)控制的所有優(yōu)點,以及初級側(cè)調(diào)節(jié)的簡單性。<10 mW空載輸入功率和±3%CV,±5%CC調(diào)節(jié),對變壓器變化不敏感,其瞬態(tài)響應與負載時序無關(guān)。該設(shè)計適用于手機/ USB充電器。
圖1填充電路板,頂視圖圖2填充電路板,底視圖
圖3示意圖
輸入EMI濾波
保險絲F1提供保護,防止初級側(cè)組件的災難性故障。
由于整流橋BR1的低浪涌電流額定值和大容量存儲電容器C1和C2的相對高的值并且因此低的阻抗,浪涌限制熱敏電阻(RT1)是必要的。
由于空間有限,特別是從PCB到外殼的高度,因此選擇了物理小型橋式整流器BR1。
電容C1和C2提供對整流交流輸入的濾波,并與L1和L2一起形成π(π)濾波器,以衰減差模EMI。低值Y電容(C8)可降低共模EMI。
InnoSwitch-CH IC Primary
變壓器原邊的一側(cè)連接到整流DC總線,另一邊連接到InnoSwitch-CH IC(U1)內(nèi)的集成650 V功率MOSFET。
由D1,R1,R2和C3組成的低成本RCD鉗位電路限制了由于變壓器和輸出走線電感的影響而產(chǎn)生的峰值漏極電壓。
IC是自啟動的,當首次使用AC時,使用內(nèi)部高壓電流源為BPP引腳電容(C4)充電。正常運行期間,初級側(cè)塊由變壓器上的輔助繞組供電。其輸出配置為反激式繞組,整流和濾波(D2和C5),并通過限流電阻R3饋入BPP引腳。
InnoSwitch-CH IC Secondary
InnoSwitch-CH的次級端提供輸出電壓,輸出電流檢測和驅(qū)動到一個提供同步整流的MOSFET。
變壓器的二次側(cè)由Q1進行整流,并由C10進行濾波。在開關(guān)瞬態(tài)期間發(fā)生高頻振鈴,否則會在Q1兩端產(chǎn)生高電壓,輻射EMI會通過緩沖器組件R5和C9降低。
IC的次級側(cè)由次級繞組的正向電壓或輸出電壓自供電。在CV操作期間,輸出電壓為器件供電,并饋入VO引腳。
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