聯(lián)芯28納米HKMG試產(chǎn)良率達98% 國內(nèi)最先進的28納米晶圓工藝

位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司日前傳來喜訊，已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達 98%。這是該公司28納米Poly/SiON制程技術成功量產(chǎn)以來，再次取得了技術發(fā)展上的新里程碑。

聯(lián)芯集成電路制造項目總投資62億美元，是海峽兩岸合資建設的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項目。聯(lián)芯于2016年11月正式營運投產(chǎn)，目前公司正全力提速至滿載產(chǎn)能。

據(jù)介紹，聯(lián)芯28納米High-K/Metal Gate 工藝制程采用了目前全球最先進的Gate Last制程技術，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管的性能，可以應用于更多樣化的各類電子產(chǎn)品。 對此技術突破，聯(lián)芯首席執(zhí)行官暨副董事長許志清表示非常開心，并期望未來進一步強化與客戶合作，積極推動產(chǎn)品量產(chǎn)。同時他也為聯(lián)芯團隊在短短時間內(nèi)所取得的成績而感到驕傲和自豪。

聯(lián)芯能同時提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工藝技術，成為國內(nèi)最先進的28納米晶圓專工企業(yè)，標志著廈門集成電路制造水平又邁上了一個新臺階，對奠定廈門集成電路產(chǎn)業(yè)在全國的戰(zhàn)略地位具有重要意義。